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公开(公告)号：CN102174697B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110051845.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子混合溶液或溶胶凝胶溶液滴在步骤1中得到的镍基片上，用甩胶机进行甩胶使溶液均匀分布在镍基片上；步骤3：对步骤2中得到的镍基片进行烧结处理，烧结后得到位于镍基片上生长的氧化物铁电薄膜。本发明的有益效果：可以比较容易和稳定的制作氧化物铁电薄膜，便于工业化生产氧化物铁电薄膜，有效的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN102815691A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210341670.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：通过溶胶凝胶法配置含铁的前驱溶液，通过旋涂的方法将前驱溶液均匀的涂布在基片上制得含铁的前驱液薄膜并放入恒温箱中烘干；步骤2：将步骤1中烘干后的含铁的前驱液薄膜放入管式炉中真空退火得到均匀的含铁薄膜；步骤3：对步骤2中得到的含铁薄膜在一定温度下进行一次还原得到铁催化剂薄膜；步骤4：碳纳米管-多层石墨烯复合结构的制备。本发明的有益效果是：实现了直接一步合成碳纳米管-多层石墨烯复合结构的目的，因此方法简单，成本低廉，易于大量制备。
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公开(公告)号：CN102249216A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110155065.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法，包括如下步骤：步骤1：制备含铁离子的前驱液薄膜；步骤2：将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干；步骤3：将烘干后的基片放入管式炉的恒温区，进行退火处理；步骤4：制备颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜；步骤5：制备不同长度和形貌的碳纳米管阵列：在管式炉内，升温至一定温度下，通入乙炔和氩气，乙炔气体在含铁催化剂颗粒的薄膜表面分解并析出直立的碳纳米管阵列。本发明的有益效果：实现了我们通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的目的，取得了意想不到的效果，有效的优化了碳纳米管生长的工艺，降低了工业生产的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102181833A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110155246.2
申请日：2011-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明涉及一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法。包括如下步骤：步骤1：对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面；步骤2：将步骤1处理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延设备的真空腔体中；步骤3：对步骤2中固定好的GaAs基片加热到550℃-600℃之间；步骤4：用激光束蒸发步骤2中固定好的STO靶材，使STO在GaAs基片上沉积，沉积过程中用反射高能电子衍射监测薄膜生长过程，当衍射花样出现典型STO的衍射条纹可得到STO外延薄膜。本发明的有益效果：由于本方法中将GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面，克服了在GaAs基片二元化合物上生长介电氧化物薄膜的困难。
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公开(公告)号：CN102092774B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010609908.4
申请日：2010-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。
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公开(公告)号：CN102815691B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210341670.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：通过溶胶凝胶法配置含铁的前驱溶液，通过旋涂的方法将前驱溶液均匀的涂布在基片上制得含铁的前驱液薄膜并放入恒温箱中烘干；步骤2：将步骤1中烘干后的含铁的前驱液薄膜放入管式炉中真空退火得到均匀的含铁薄膜；步骤3：对步骤2中得到的含铁薄膜在一定温度下进行一次还原得到铁催化剂薄膜；步骤4：碳纳米管-多层石墨烯复合结构的制备。本发明的有益效果是：实现了直接一步合成碳纳米管-多层石墨烯复合结构的目的，因此方法简单，成本低廉，易于大量制备。
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公开(公告)号：CN102174697A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110051845.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子混合溶液或溶胶凝胶溶液滴在步骤1中得到的镍基片上，用甩胶机进行甩胶使溶液均匀分布在镍基片上；步骤3：对步骤2中得到的镍基片进行烧结处理，烧结后得到位于镍基片上生长的氧化物铁电薄膜。本发明的有益效果：可以比较容易和稳定的制作氧化物铁电薄膜，便于工业化生产氧化物铁电薄膜，有效的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN102092774A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010609908.4
申请日：2010-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。
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