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公开(公告)号：CN102092774B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010609908.4
申请日：2010-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。
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公开(公告)号：CN106012014A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610395270.6
申请日：2016-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜制作技术。本发明解决了现有二氧化钒薄膜生长时+4价钒离子价态不稳定的问题，提供了一种二氧化钒薄膜生长方法，其技术方案可概括为：将预先旋涂有含V离子的前驱体的基片样品或预先生长了VOX薄膜的基片样品放入石英舟或刚玉舟内并推入管式炉或马弗炉中，其中，1
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公开(公告)号：CN103913487B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410177504.0
申请日：2014-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法，主要包括以下步骤：按照一定的体积比，在偏钒酸铵溶液中按顺序加入硝酸锶溶液和硝酸镧溶液，得到的混合液用氨水调节PH至4-6.5；得到的混合液转移至水热釜中，并置于烘箱中160℃反应16h，得到的产物置于真空烘箱中干燥，得到锶掺杂的LaVO4前驱体；将锶掺杂的LaVO4前驱体放入管式炉中，在650℃、氢气气氛下热处理2h，随炉降温得到锶掺杂的LaVO3纳米线。本发明得到的锶掺杂的LaVO3纳米线很长，在常温下对氨气有明显的响应，制得的气敏传感器电阻随温度变化小，有效避免了温度变化带来的误差，稳定性好。
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公开(公告)号：CN102174697B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110051845.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子混合溶液或溶胶凝胶溶液滴在步骤1中得到的镍基片上，用甩胶机进行甩胶使溶液均匀分布在镍基片上；步骤3：对步骤2中得到的镍基片进行烧结处理，烧结后得到位于镍基片上生长的氧化物铁电薄膜。本发明的有益效果：可以比较容易和稳定的制作氧化物铁电薄膜，便于工业化生产氧化物铁电薄膜，有效的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN106308802B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610622684.8
申请日：2016-08-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: A61B5/08
Abstract: 本发明属于功能材料合成领域，具体涉及一种基于氧化钒(VO2)薄膜的柔性呼吸传感器及其制备方法，克服了VO2纳米线传感器测量误差大、制备工艺复杂以及应用难度大的缺陷。本发明基于VO2薄膜的柔性呼吸传感器，包括聚酰亚胺薄膜、设置于聚酰亚胺薄膜上的平行金电极、覆盖于平行金电极上的VO2薄膜、以及覆盖于VO2薄膜上的聚二甲基硅氧烷；该呼吸传感器基于VO2薄膜实现，其结构简单、制备工艺简单、制备成本低，对呼吸频率、呼吸深度具有良好的监测，测量误差小；同时，本发明还提供该呼吸传感器的制备方法，该制备方法工艺简单、成本低廉，具有良好的工艺可控性和重复性，有利于大规模批量化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102392230A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110367129.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 一种二氧化钒薄膜的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用无机物偏钒酸盐作为钒源，通过添加水溶性聚合物和络合稳定剂形成均一长期稳定的钒前驱体溶液；利用所述钒前驱体溶液经旋涂、高温热处理获得二氧化钒薄膜。本发明能够获得结构、性能良好的二氧化钒薄膜，同时能够克服传统化学溶液法制备二氧化钒薄膜过程中有机金属盐的水解程度不可控、有机金属钒盐溶液不稳定所导致的工艺可控性和重复性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN106308802A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610622684.8
申请日：2016-08-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: A61B5/08
CPC classification number: A61B5/08 , A61B5/0816 , A61B2562/12
Abstract: 本发明属于功能材料合成领域，具体涉及一种基于氧化钒(VO2)薄膜的柔性呼吸传感器及其制备方法，克服了VO2纳米线传感器测量误差大、制备工艺复杂以及应用难度大的缺陷。本发明基于VO2薄膜的柔性呼吸传感器，包括聚酰亚胺薄膜、设置于聚酰亚胺薄膜上的平行金电极、覆盖于平行金电极上的VO2薄膜、以及覆盖于VO2薄膜上的聚二甲基硅氧烷；该呼吸传感器基于VO2薄膜实现，其结构简单、制备工艺简单、制备成本低，对呼吸频率、呼吸深度具有良好的监测，测量误差小；同时，本发明还提供该呼吸传感器的制备方法，该制备方法工艺简单、成本低廉，具有良好的工艺可控性和重复性，有利于大规模批量化生产。
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公开(公告)号：CN103913487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410177504.0
申请日：2014-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法，主要包括以下步骤：按照一定的体积比，在偏钒酸铵溶液中按顺序加入硝酸锶溶液和硝酸镧溶液，得到的混合液用氨水调节PH至4-6.5；得到的混合液转移至水热釜中，并置于烘箱中160℃反应16h，得到的产物置于真空烘箱中干燥，得到锶掺杂的LaVO4前驱体；将锶掺杂的LaVO4前驱体放入管式炉中，在650℃、氢气气氛下热处理2h，随炉降温得到锶掺杂的LaVO3纳米线。本发明得到的锶掺杂的LaVO3纳米线很长，在常温下对氨气有明显的响应，制得的气敏传感器电阻随温度变化小，有效避免了温度变化带来的误差，稳定性好。
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公开(公告)号：CN102174697A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110051845.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子混合溶液或溶胶凝胶溶液滴在步骤1中得到的镍基片上，用甩胶机进行甩胶使溶液均匀分布在镍基片上；步骤3：对步骤2中得到的镍基片进行烧结处理，烧结后得到位于镍基片上生长的氧化物铁电薄膜。本发明的有益效果：可以比较容易和稳定的制作氧化物铁电薄膜，便于工业化生产氧化物铁电薄膜，有效的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN102092774A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010609908.4
申请日：2010-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。
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