公开(公告)号：CN102092774B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010609908.4

申请日：2010-12-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 林媛 ,  南天翔 ,  曾慧中 ,  黄文 ,  梁伟正 ,  刘升华

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。

公开(公告)号：CN102092774A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010609908.4

申请日：2010-12-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 林媛 ,  南天翔 ,  曾慧中 ,  黄文 ,  梁伟正 ,  刘升华

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。