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公开(公告)号:CN119677189A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411760485.4
申请日:2024-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10F30/227 , H10F77/20 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于光电领域,具体为一种基于微纳结构的等离激元偏振敏感探测器。其创新点在于:(1)利用局域表面等离激元效应产生的电场增强了二硫化钼的光吸收率。(2)实现了二硫化钼光电探测器对偏振光的检测。主要的实现方案包括:将图形化金纳米结构转移到二硫化钼上,从而实现二硫化钼对偏振光的检测;通过金纳米阵列受到激发产生的局域表面等离激元效应,进一步使二硫化钼表面电场增强,从而增大了二硫化钼的载流子产生率。相较于传统的二硫化钼光电探测器,该器件可以实现对偏振光的检测,同时使二硫化钼对可见光(0.38~0.7μm)的吸收率有一定的增强,这极大提高了应用场景和适用范围。
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公开(公告)号:CN119677187A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411760484.X
申请日:2024-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/14
Abstract: 本发明属于光电领域,具体为一种基于谐振腔结构的对偏振光敏感的可调谐光电探测器。其创新点在于通过谐振腔结构实现了对于同一波长不同偏振角的光的吸收率的差异。主要的实现方案包括:通过刻蚀二氧化硅(SiO2)、镀金(Au)和二维材料(MoS2、PdSe2)的转移得到谐振腔结构,实现探测器对偏振光的敏感;通过改变谐振腔阵列的周期和谐振腔的尺寸大小来调控探测器的吸收波段和在吸收峰处的吸收率。
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公开(公告)号:CN119575524A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411711021.4
申请日:2024-11-27
Applicant: 电子科技大学 , 成都燎原星光电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化纳米金阵列修饰的石墨烯等离激元偏振器及应用,属于光通信技术领域。本发明的石墨烯等离激元偏振器包括基底二氧化硅,光吸收层石墨烯,图形化的金纳米阵列和顶电极源漏电极。本发明嵌套的金纳米圆柱和金纳米圆环形成共振腔,利用表面等离子共振效应,对等离激元偏振器的吸收波段进行调控的,通过改变金纳米圆环和金纳米圆柱的相对位置改变共振腔的形状,形成了各个方向共振腔尺寸不同的纳米结构,使得本发明的等离激元偏振器对不同偏振光敏感。同时,金纳米阵列激发的局域表面等离激元效应增大了石墨烯表面电场,提高的石墨烯中电子空穴对的产生率,提升了等离激元偏振器的探测效率。
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