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公开(公告)号：CN119575524A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411711021.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 电子科技大学 , 成都燎原星光电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化纳米金阵列修饰的石墨烯等离激元偏振器及应用，属于光通信技术领域。本发明的石墨烯等离激元偏振器包括基底二氧化硅，光吸收层石墨烯，图形化的金纳米阵列和顶电极源漏电极。本发明嵌套的金纳米圆柱和金纳米圆环形成共振腔，利用表面等离子共振效应，对等离激元偏振器的吸收波段进行调控的，通过改变金纳米圆环和金纳米圆柱的相对位置改变共振腔的形状，形成了各个方向共振腔尺寸不同的纳米结构，使得本发明的等离激元偏振器对不同偏振光敏感。同时，金纳米阵列激发的局域表面等离激元效应增大了石墨烯表面电场，提高的石墨烯中电子空穴对的产生率，提升了等离激元偏振器的探测效率。
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公开(公告)号：CN119208022A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411415952.X
申请日：2024-10-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种尺寸可调的氧化锌纳米阵列及其制备方法和应用，属于纳米阵列技术领域。该氧化锌纳米阵列包括导电薄膜和氧化锌纳米棒阵列簇；其中，氧化锌纳米棒直立生长于导电薄膜上，氧化锌纳米棒聚集生长形成阵列簇；阵列簇结构在导电薄膜上呈现大面积周期生长和周期性分布。本发明提出的氧化锌纳米棒阵列通过光刻模板实现。通过调整模板中预留孔洞的尺寸和图案在ITO电极表面获得具有不同尺寸或形状的氧化锌纳米阵列结构，从而应用于光电探测器、光催化剂、太阳能电池等不同应用领域。本发明的氧化锌纳米阵列结构具有制备方法简单、结构可控、均一性较优、稳定性较佳等优点，有利于推广应用。
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公开(公告)号：CN119095463A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411191968.7
申请日：2024-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双面丝网印刷的立体热电器件及其制备方法，属于新能源器件技术领域，通过对二维布局结构进行多次折叠得到，二维布局结构为通过在基底上利用丝网印刷工艺制备的双面结构，每一面结构包括依次的底层电极层、N型热电材料层、P型热电材料层和顶层电极层，均为阵列结构；N型热电支腿与P型热电支腿交替设置，N型热电支腿、P型热电支腿和顶层电极单元构均与底层电极单元存在重叠区域；通过多次折叠，将二维布局结构折叠为立体热电器件，可实现热流的立体采集，并充分利用有限的基底面积，具有输出功率密度高、结构紧凑、集成度高、占用面积小的优势，尤其适用于可穿戴场景。
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公开(公告)号：CN117241598A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311134204.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电领域，具体为一种基于微纳结构的紫外/红外双波段可调谐探测器。其创新点在在于通过微纳结构实现了在紫外和红外两个波段均能进行探测，实现了双波段探测器小型化。主要的实现方案包括：通过将两种禁带宽度不同的材料结合在一起，从而实现双波段探测；通过改变铁电畴的剩余极化强度，即可实现石墨烯探测波段的可调谐性。相较于传统的光谱仪，此器件可同时实现两个波段的探测，这极大提高了应用场景和适用范围。
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公开(公告)号：CN111370523A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010183235.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/10 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于图形化铁电畴的石墨烯太赫兹波可调谐探测器，包括基底：如半导体硅(Si)或氧化物钛酸锶(STO)、底电极：如镧锶锰氧(LSMO)、铁电材料：如铁酸铋(BFO)或掺铪的氧化锆(HfZrO)、以及上层的二维材料：如石墨烯。发明提出的光电探测器，利用铁电材料不同的极化方向引起二维材料电化学势的差异，通过设计铁电畴的形状，改变铁电畴的大小，利用表面等离子共振效应，得到了一种能对光电探测器吸收波段进行调控的、大面积的二维材料的光电探测器的结构。本发明的光电探测器具有结构简单、便于集成、可在室温下工作的优点，并且还可以通过在纳米尺度下简易且精确的改变铁电畴从而对传感器的响应波段进行调控。本发明提供的光电探测器可用于中远红外以及太赫兹波段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875402A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810996818.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。
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公开(公告)号：CN116914015A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310831931.5
申请日：2023-07-07
Applicant: 电子科技大学 , 成都燎原星光电子有限责任公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y20/00
Abstract: 本发明提供了一种基于碲‑二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法，包括两端电极和二维材料异质结层以及基底，所述两端电极为镍金电极，所述二维材料异质结层材料包括二硫化钼纳米片和二维碲纳米片，所述基底为有一层二氧化硅的硅基底，光电人工突触的制备方法，包括以下步骤：提供亚碲酸钠、PVP粉末、一水合肼、氨水为原材料，以一定配比溶解于去离子水中，通过水热法得到碲纳米片，将所述碲纳米片分散在溶剂中形成碲纳米片分散液，将所述碲纳米片滴铸在基底上；提供二硫化钼原料，使用机械剥离法得到二硫化钼纳米片，将所述二硫化钼纳米片转移到碲纳米片上得到异质结；在异质结两端溅射得到镍金电极，得到二维材料异质结光电突触。
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公开(公告)号：CN113447470B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110719537.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底、检测芯片及制备方法，在基体的表面制备一层金膜，然后向金膜滴加生物素；同时将链霉亲和素与金纳米颗粒孵化反应，离心后去除上清液，再滴加在金膜上，自组装形成单层的金膜‑金球结构，产生法诺共振光学响应，制得高增强的SERS基底。本发明的SERS基底与PDMS微流控芯片结合，提高了微流控芯片的应用范围及检测水平，并且制作方法简单，操作简单，便于携带，可实现同时检测血清和血液。
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公开(公告)号：CN113029404B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110258808.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明公开了一种基于表面微结构柔性基底石墨烯材料的制备方法，并提供一种双通道柔性多态应力传感器结构，涉及柔性多态应力传感器结构和制备。该传感器包括：上下柔性衬底、上下敏感层、上下电极层及封装结构；下柔性衬底及下敏感层为表面微结构化处理的PDMS衬底及于其表面成膜的石墨烯薄膜，通过PDMS倒模及刷涂石墨烯制备；上电极层包括银电极C及其电极引出端，下电极包括银电极A、B及其电极引出端。制备的双通道传感器用于实现压力应力信号的同时检测，可实现包括关节弯曲、外力按压、皮肤拉伸等复杂应变情况下的人体动作的分辨判断。同时，通过采用基于表面微结构柔性基底的石墨烯材料，优化了传感器适应的应力检测范围，保证了在人体关节自由活动时传感器能够正常工作。
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公开(公告)号：CN114038927A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111451036.8
申请日：2021-12-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/0236 , H01L31/101
Abstract: 本发明属于光电通信技术领域，具体涉及一种高响应的铁电集成石墨烯等离子体太赫兹探测器。解决了传统硅基器件平行石墨烯纳米带之间的电磁波传导困难的问题，主要方案包括以钛酸锶为基底，以镧锶锰氧为底电极，利用外延法在底电极上生长一层铁酸铋BFO，利用压电力显微镜或水印法获得两条平行的矩形局域极化电畴，然后在铁酸铋BFO上覆盖一层本征石墨烯，通过对底电极施加不同栅压，从而调整覆盖在矩形局域极化电畴上的石墨烯化学势，进而调整太赫兹探测器的吸收波段。
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