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公开(公告)号：CN110875402A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810996818.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。
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公开(公告)号：CN110875402B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810996818.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。
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公开(公告)号：CN109166961B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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公开(公告)号：CN109166961A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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