公开(公告)号：CN109935654A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910216960.4

申请日：2019-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  雷智程 ,  柯逸臻 ,  贺振北 ,  郭俊雄 ,  毛琳娜 ,  龚天巡

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明属于光电传感器领域，提供一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及其制备方法，用以克服现有基于多层二硫化钼/硅异质结光电探测器制备工艺复杂的缺点。本发明中，多层二硫化钼直接设置于硅衬底上表面、无需精确转移，采用光刻胶直接作为绝缘层、有效避免SiO2层的使用，而顶电极通过光刻胶上开设窗口直接设置于多层二氧化钼的正上方、大大降低了顶电极制备难度，即结构简单、制备工艺难度小；同时，本发明传感器在可见光和近红外区域表现良好的光电相应，且响应时间可达到150～200us，即灵敏度更高。

公开(公告)号：CN110875402A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201810996818.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  李尚栋 ,  郭俊雄 ,  贺振北 ,  何宇豪 ,  龚天巡 ,  林媛 ,  俞滨

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。

公开(公告)号：CN110875402B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201810996818.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  李尚栋 ,  郭俊雄 ,  贺振北 ,  何宇豪 ,  龚天巡 ,  林媛 ,  俞滨

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。

公开(公告)号：CN109935654B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910216960.4

申请日：2019-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  雷智程 ,  柯逸臻 ,  贺振北 ,  郭俊雄 ,  毛琳娜 ,  龚天巡

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明属于光电传感器领域，提供一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及其制备方法，用以克服现有基于多层二硫化钼/硅异质结光电探测器制备工艺复杂的缺点。本发明中，多层二硫化钼直接设置于硅衬底上表面、无需精确转移，采用光刻胶直接作为绝缘层、有效避免SiO2层的使用，而顶电极通过光刻胶上开设窗口直接设置于多层二氧化钼的正上方、大大降低了顶电极制备难度，即结构简单、制备工艺难度小；同时，本发明传感器在可见光和近红外区域表现良好的光电相应，且响应时间可达到150～200us，即灵敏度更高。