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公开(公告)号：CN110873707A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810997510.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光学领域，具体涉及一种3D表面增强型拉曼传感芯片及其制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种3D表面增强型拉曼传感芯片的制备方法，包括以下步骤：a、在硅片上涂光刻胶，同时绘制光刻图案；b、通过光刻的方式将光刻图案刻在硅片表面的光刻胶上，然后显影、离子刻蚀，再去除硅片上多余的光刻胶；c、在步骤b所得硅片上溅射金层；d、将含球溶液加在步骤c所得硅片上，干燥；重复加含球溶液和干燥步骤，直至干燥后球填满孔洞；e、再在步骤d所得硅片上溅射金层，即得成品芯片。本发明方法能够增强所得芯片的拉曼增强效果。
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公开(公告)号：CN110873707B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810997510.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光学领域，具体涉及一种3D表面增强型拉曼传感芯片及其制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种3D表面增强型拉曼传感芯片的制备方法，包括以下步骤：a、在硅片上涂光刻胶，同时绘制光刻图案；b、通过光刻的方式将光刻图案刻在硅片表面的光刻胶上，然后显影、离子刻蚀，再去除硅片上多余的光刻胶；c、在步骤b所得硅片上溅射金层；d、将含球溶液加在步骤c所得硅片上，干燥；重复加含球溶液和干燥步骤，直至干燥后球填满孔洞；e、再在步骤d所得硅片上溅射金层，即得成品芯片。本发明方法能够增强所得芯片的拉曼增强效果。
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公开(公告)号：CN107607516B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710811976.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种拉曼增强的化学传感器及其制备方法，属于检测化学分子的半导体微纳器件领域。该化学传感器包括四层结构，自下而上依次为玻璃基底、纳米小球结构层、金属层和单层石墨烯层。其中，聚苯乙烯等形成的纳米小球结构层用于形成表面阵列化结构，以加强拉曼光的散射，金属层用于实现拉曼电磁增强，单层石墨烯层在对分子吸附的同时实现化学增强；本发明拉曼增强的化学传感器同时利用贵金属实现电磁增强、单层石墨烯实现化学增强，大大增强了拉曼信号。
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公开(公告)号：CN107607516A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710811976.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种拉曼增强的化学传感器及其制备方法，属于检测化学分子的半导体微纳器件领域。该化学传感器包括四层结构，自下而上依次为玻璃基底、纳米小球结构层、金属层和单层石墨烯层。其中，聚苯乙烯等形成的纳米小球结构层用于形成表面阵列化结构，以加强拉曼光的散射，金属层用于实现拉曼电磁增强，单层石墨烯层在对分子吸附的同时实现化学增强；本发明拉曼增强的化学传感器同时利用贵金属实现电磁增强、单层石墨烯实现化学增强，大大增强了拉曼信号。
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