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公开(公告)号：CN107706168A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610650357.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/565 , H01L23/3171 , H01L23/3185
Abstract: 本发明提出了一种子单元结构和制造其的方法。该子单元结构包括：芯片；与芯片的至少部分发射极相接触的发射极金属垫块；与芯片的集电极相接触的集电极金属垫块；包覆式设置在芯片的与发射极金属垫块和集电极金属垫块接触的表面之外的表面上的用于绝缘的绝缘胶框。该子单元结构结构简单，零件数目少，大大简化了封装模块的复杂程度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107564815A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610507639.8
申请日：2016-06-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种制作功率半导体的方法，该方法包括：步骤一、在衬底上形成预设厚度的栅氧化层；步骤二、对预设厚度的栅氧化层进行刻蚀，使得栅氧化层具有多种厚度，其中，栅氧化层的厚度从第一端到第二端呈现逐渐增大的趋势；步骤三、在刻蚀后的栅氧化层上形成多晶硅层。相较于现有的功率半导体制作方法，本方法制作得到的功率半导体更加平整，其工艺(例如记号对准、光刻及刻蚀等)难度得到有效降低，这样也就有助于提高功率半导体器件的性能以及芯片封装功能的可靠性。
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公开(公告)号：CN107564814A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610503033.7
申请日：2016-06-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种制作功率半导体的方法，包括：步骤一、在衬底上形成第一预设厚度的半导体层；步骤二、对第一预设厚度的半导体层进行刻蚀，得到第一目标台面；步骤三、在第一目标台面上形成第二多晶硅层；步骤四、在第二多晶硅层上继续形成半导体层，并对最终形成的半导体层进行刻蚀，得到第二目标台面，从而形成栅氧化层；步骤五、在第二目标台面上形成第一多晶硅层。利用该方法制作得到的功率半导体器件的栅氧化层内部形成有浮空多晶硅层，因此在栅氧化层内部形成了场板结构，提高了器件的耐压性能，使得增强型载流子层的掺杂浓度及元胞之间的距离可以进一步增大，减小了器件的基区电阻及JFET区电阻，从而降低了通态压降，并实现了通态压降与耐压的良好折中。
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公开(公告)号：CN107331702A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610282105.X
申请日：2016-04-29
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0696
Abstract: 本发明提供一种具有超结结构的载流子注入型IGBT，包括：半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区和位于第一基区与第二基区之间且与第一基区、第二基区平行设置的超结结构，其中，超结结构包括交替设置的N型区与P型区。上述IGBT结构采用超结结构，引入的N型区与P型区在IGBT承受反向电压时能相互耗尽，降低元胞区峰值电场强度，提高了IGBT的耐压能力，同时载流子存储区的掺杂浓度也能进一步提高。
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公开(公告)号：CN107240571A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710323534.1
申请日：2017-05-10
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L25/072 , H01L21/68 , H01L23/16
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409898A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610940446.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本申请公开了一种具有埋氧化层的沟槽栅IGBT及其制作方法，该方法包括在N型硅衬底表面进行磷注入形成N型区，N型硅衬底形成N-漂移区；在N型区的表面进行硼注入，形成P基区；在N型区下部进行高能氧离子注入，形成第一埋氧层和第二埋氧层，经后续高温工艺后，第一埋氧层和第二埋氧层分别形成第一埋氧化层和第二埋氧化层，所述第一埋氧化层和所述第二埋氧化层之间形成具有预设宽度的沟道，所述沟道用于对从所述N-漂移区和所述P基区之间流出的空穴进行限流；制作沟槽栅并形成IGBT结构。通过在沟槽栅IGBT底部引入埋氧化层，缩小从其源极流出的空穴路径的面积，遏制源极空穴电流大小，降低IGBT导通压降。
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公开(公告)号：CN112750803B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201911053070.2
申请日：2019-10-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供了一种母排端子，应用于大功率IGBT模块，所述母排端子包括发射极母排和集电极母排，所述发射极母排和所述集电极母排均包括一主体部和设置在所述主体部底部的引脚，所述引脚包括与所述主体部连接的管脚踝部，及与所述管脚踝部连接的末端部，所述管脚踝部和所述末端部位于不同平面。本申请的母排端子能够更好地与衬板进行连接。不但能释放超声焊接工艺中所产生的机械应力以及后续大电流工况下的热电耦合应力，还能消减洛伦兹力在端部的电磁扭矩。
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公开(公告)号：CN107369703B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201610318414.8
申请日：2016-05-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种新型载流子增强注入型IGBT结构，包括：半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区、第一载流子存储区、第二载流子存储区和位于第一载流子存储区与第二载流子存储区之间的浮空区，浮空区与第一载流子存储区、第二载流子存储区均不接触。浮空区的设置使IGBT反向耐压时形成的电离受主，能吸收部分位于两侧载流子存储区发出的电离线，削弱曲率效应，降低元胞区附近的电场峰值，使电场分布均匀，进而提高IGBT的击穿电压，实现在提高IGBT电流密度的同时，提高击穿电压的目的。
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公开(公告)号：CN108615707B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810149693.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/8224 , H01L27/082 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种具有折叠型复合栅结构的IGBT芯片的制作方法，包括：在晶圆基片上沉积二氧化硅层，晶圆基片划分为有源区和栅极区；向有源区注入N型杂质；在栅极区的指定位置形成沟槽；对注入的N型杂质扩散形成N阱区；向N阱区注入P型杂质；刻蚀二氧化硅层；热氧化形成沟槽栅和平面栅的栅氧化层，同时对P型杂质扩散形成P阱区；通过多晶硅工艺形成以折叠方式连接在一起的沟槽栅极和平面栅极作为共用栅极；多晶硅氧化；有源区表面氧化层刻蚀，形成部分N+掺杂区和P+掺杂区；沉积一层金属层连接沟槽栅有源区和平面栅有源区作为共用源极。本发明可有效避免N阱区和P阱区的杂质扩散至沟槽另一侧而对栅极区造成不必要的影响。
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公开(公告)号：CN111129130A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811276601.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。
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