公开(公告)号：CN106449743A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610969839.5

申请日：2016-11-04

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 肖海波 ,  肖强 ,  罗海辉 ,  黄建伟 ,  刘国友 ,  张大华

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66325

Abstract: 本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底正面的正面结构；位于所述衬底背面的集区，所述集区包括并列设置于所述衬底背面的第一集区和至少一个第二集区；位于所述集区背离所述衬底一侧的集电极；所述第一集区的禁带宽度与所述衬底的禁带宽度相同，所述第二集区的禁带宽度高于或低于所述衬底的禁带宽度。所述绝缘栅双极晶体管实现了在不增加器件的关断时间的同时降低器件的导通压降，或在不增加器件的导通压降的同时降低器件的关断时间，或同时降低器件的关断时间和导通压降的目的。

公开(公告)号：CN107240571B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710323534.1

申请日：2017-05-10

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  黄建伟 ,  窦泽春 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖红秀 ,  张大华 ,  李继鲁 ,  肖强 ,  谭灿健 ,  戴小平

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/16 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。

公开(公告)号：CN107240571A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710323534.1

申请日：2017-05-10

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  黄建伟 ,  窦泽春 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖红秀 ,  张大华 ,  李继鲁 ,  肖强 ,  谭灿健 ,  戴小平

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/16 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L21/68 ,  H01L23/16

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。

公开(公告)号：CN108624844B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201710160262.8

申请日：2017-03-17

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 张大华 ,  黄建伟 ,  肖海波 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  肖强

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种晶圆背面金属薄膜及其制备方法，包括在晶圆背面溅射形成第一金属层；在晶圆背面与第一金属层接触处形成第一金属与硅的合金层；在第一金属层上溅射形成第二金属层；在第二金属层上溅射形成第三金属层，控制溅射后晶圆温度低于设定值，并在溅射时通入保护气体；关闭第三金属溅射，保持腔体中气体流通，当晶圆温度低于设定值，开启第三金属溅射，控制溅射后晶圆温度低于设定值，若第三金属层厚度未达目标值，则重复该步骤；若达目标值，在第三金属层上溅射形成第四金属层。本发明能解决现有工艺形成的金属薄膜存在较大应力而导致晶圆发生严重翘曲，使后端晶圆电参数测试、封装划片等工艺无法实现，并增加晶圆碎片率的技术问题。

公开(公告)号：CN108624844A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710160262.8

申请日：2017-03-17

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 张大华 ,  黄建伟 ,  肖海波 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  肖强

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种晶圆背面金属薄膜及其制备方法，包括在晶圆背面溅射形成第一金属层；在晶圆背面与第一金属层接触处形成第一金属与硅的合金层；在第一金属层上溅射形成第二金属层；在第二金属层上溅射形成第三金属层，控制溅射后晶圆温度低于设定值，并在溅射时通入保护气体；关闭第三金属溅射，保持腔体中气体流通，当晶圆温度低于设定值，开启第三金属溅射，控制溅射后晶圆温度低于设定值，若第三金属层厚度未达目标值，则重复该步骤；若达目标值，在第三金属层上溅射形成第四金属层。本发明能解决现有工艺形成的金属薄膜存在较大应力而导致晶圆发生严重翘曲，使后端晶圆电参数测试、封装划片等工艺无法实现，并增加晶圆碎片率的技术问题。