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公开(公告)号：CN107240571B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710323534.1
申请日：2017-05-10
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。
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公开(公告)号：CN105957888B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201610494974.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号：CN109524363B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710840250.X
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法，该压接式子单元具有塑料框，其具有上下贯彻的通孔；芯片单元，其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块，其中，第一垫块延伸到通孔内，芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上，该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框，其结构简单，尤其是，该结构的生产工艺简单，避免了使用额外的复杂的灌注成型模具，其生产效率大幅提高，另外，由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体，避免了高温导致的塑料框脱附问题，增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号：CN107768340A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710827140.X
申请日：2017-09-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板，包括：从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层，第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区，第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽，凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大，芯片焊接需要使用焊接工装，衬板正面金属层为强电和弱电的结合层，衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN105957861A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610480973.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/041 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524363A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710840250.X
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法，该压接式子单元具有塑料框，其具有上下贯彻的通孔；芯片单元，其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块，其中，第一垫块延伸到通孔内，芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上，该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框，其结构简单，尤其是，该结构的生产工艺简单，避免了使用额外的复杂的灌注成型模具，其生产效率大幅提高，另外，由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体，避免了高温导致的塑料框脱附问题，增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号：CN107706168A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610650357.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/565 , H01L23/3171 , H01L23/3185
Abstract: 本发明提出了一种子单元结构和制造其的方法。该子单元结构包括：芯片；与芯片的至少部分发射极相接触的发射极金属垫块；与芯片的集电极相接触的集电极金属垫块；包覆式设置在芯片的与发射极金属垫块和集电极金属垫块接触的表面之外的表面上的用于绝缘的绝缘胶框。该子单元结构结构简单，零件数目少，大大简化了封装模块的复杂程度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107240571A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710323534.1
申请日：2017-05-10
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L25/072 , H01L21/68 , H01L23/16
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。
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公开(公告)号：CN107728032B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610672233.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
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公开(公告)号：CN108122897B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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