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公开(公告)号：CN108091614A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611044047.3
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件封装结构及其封装方法，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本发明用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN105957888B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201610494974.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号：CN206163475U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621265537.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN109524363A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710840250.X
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法，该压接式子单元具有塑料框，其具有上下贯彻的通孔；芯片单元，其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块，其中，第一垫块延伸到通孔内，芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上，该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框，其结构简单，尤其是，该结构的生产工艺简单，避免了使用额外的复杂的灌注成型模具，其生产效率大幅提高，另外，由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体，避免了高温导致的塑料框脱附问题，增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号：CN108231714A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611153311.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制作方法，功率模块包括：芯片，用于布置芯片的衬板，以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括：陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面，背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面，且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大，模块散热效率低，密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号：CN107706168A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610650357.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/565 , H01L23/3171 , H01L23/3185
Abstract: 本发明提出了一种子单元结构和制造其的方法。该子单元结构包括：芯片；与芯片的至少部分发射极相接触的发射极金属垫块；与芯片的集电极相接触的集电极金属垫块；包覆式设置在芯片的与发射极金属垫块和集电极金属垫块接触的表面之外的表面上的用于绝缘的绝缘胶框。该子单元结构结构简单，零件数目少，大大简化了封装模块的复杂程度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN111524877A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN110911395A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811082495.1
申请日：2018-09-17
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种双面散热IGBT模块，包括双面覆铜的上、下衬板、电连接在衬板上的多个半导体功率芯片及端子，所述半导体功率芯片包括第一IGBT芯片及第一FRD芯片，所述第一IGBT芯片和第一FRD芯片分别电连接在端子的上、下两侧构成堆叠式结构。本发明的IGBT模块结构，将双面可焊接的IGBT芯片和FRD芯片焊接在端子上下两侧，组成堆叠式结构，模块顶部和底部均可同时进行冷却，且芯片之间无键合线，采用端子直接连接，从而减小模块结构尺寸，降低模块热阻，提高了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN106707130B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN108231714B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201611153311.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制作方法，功率模块包括：芯片，用于布置芯片的衬板，以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括：陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面，背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面，且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大，模块散热效率低，密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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