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公开(公告)号：CN111106084A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811249360.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/498 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种用于引线键合的衬底金属层结构以及功率半导体器件，衬底金属层结构自下而上依次包括：衬底；金属层，其设置在该衬底的上表面；以及引线，其设置在该金属层的远离该衬底的表面上并与该金属层形成引线键合；其中，该金属层包括叠置而成的多个子金属层，并且该多个子金属层的表面积自下而上逐渐减小。通过该衬底金属层结构及功率半导体器件，可以成功实现降低引线键合失效率，且金属层应力较小，工艺实现简单，成本较低，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110911395A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811082495.1
申请日：2018-09-17
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种双面散热IGBT模块，包括双面覆铜的上、下衬板、电连接在衬板上的多个半导体功率芯片及端子，所述半导体功率芯片包括第一IGBT芯片及第一FRD芯片，所述第一IGBT芯片和第一FRD芯片分别电连接在端子的上、下两侧构成堆叠式结构。本发明的IGBT模块结构，将双面可焊接的IGBT芯片和FRD芯片焊接在端子上下两侧，组成堆叠式结构，模块顶部和底部均可同时进行冷却，且芯片之间无键合线，采用端子直接连接，从而减小模块结构尺寸，降低模块热阻，提高了模块可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109671633A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710963741.3
申请日：2017-10-17
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种新型的高压IGBT衬板绝缘方法，包括对所述衬板上的电场强度集中区域涂覆高绝缘胶水以对衬板进行绝缘保护，该高压IGBT衬板绝缘方法可以使衬板满足IGBT模块的绝缘要求，在不改变模块其他结构和材料的前提下，可大大提高模块的绝缘性能，满足6500V电压等级模块的绝缘局放要求。
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公开(公告)号：CN109524291A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710841002.7
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明提出了一种用于功率电子单元的生产方法和工装，该生产方法包括：步骤一，将不同物料依次上下分层式设置在工装的物料槽内；步骤二，对装有不同物料的工装进行烧结以形成功率电子单元；步骤三，卸载工装内的功率电子单元，该生产方法能将物料分层式放入工装的物料槽内，一次便能完成双面烧结，能有效提高工作效率和生产成本，另外，由于通过一个工装便能完成，不需要其它工装，则所形成的功率电子单元质量稳定。
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公开(公告)号：CN106332504A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610940354.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H05K7/14
CPC classification number: H05K7/1457
Abstract: 本发明公开了一种功率电子模块，包括底板、底端与所述底板上侧面焊接的母排和围绕所述母排设置的侧框，所述侧框与底板相对固定，所述侧框上设置有朝下设置且与所述母排相抵的限位面。在本发明的功率电子模块中，因为采用了限位面，限位面向下抵住母排，以阻止母排向上移动，进而能够使底板与母排之间的竖直方向上热应力传递至侧框处，避免母排与底板之间的焊接层因为承受较大的热应力而出现疲劳损伤，所以该功率电子模块能够有效地解决功率电子模块使用寿命比较的问题。
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公开(公告)号：CN108971804A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710408003.2
申请日：2017-06-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H05K13/00 , H05K13/0465
Abstract: 本发明公开了一种焊层厚度控制方法及由该方法制作的功率半导体器件，方法包括：在将电子元件安装至基板之前，先向基板上用于焊接电子元件的区域加入金属颗粒，金属颗粒在焊片贴片于基板之前，或焊片贴片于基板之后加入，金属颗粒的熔点或软化点高于焊片的焊接温度；将电子元件贴放于焊片或金属颗粒的上部并进行焊接操作，焊片熔化并包覆金属颗粒的外表面，金属颗粒支撑于电子元件与基板之间，在电子元件与基板之间形成厚度均匀的第一焊层；金属颗粒的粒径尺寸小于或等于第一焊层的设计厚度。本发明能够解决现有功率半导体器件因焊层厚度不均匀导致焊层寿命过短的技术问题。
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公开(公告)号：CN206105261U
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201621193068.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT基板焊接定位装置，包括板体，板体上开设用于容纳衬板和焊片的定位框，定位框的位置及数量根据实际的要求进行设置。将板体固定在基板上定位，在定位框内依次放入焊片与衬板。定位框的每个侧边分别设置凸块，衬板和焊片的边缘与凸块接触并定位。中间部位对衬板起定位约束的作用，衬板的顶角不与板体接触，相对于传统的定位结构的定位面的长度较短，在保证定位准确程度的前提下方便了拆卸，衬板焊接在基板上之后可以很容易将板体与衬板分离，由于衬板的顶角不与板体接触，因此在拆卸时不会对顶角造成损伤，保证了加工的成品率。
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