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公开(公告)号：CN106707130B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN107275394A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610216853.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块及其自保护方法，在第一金属化区与第二金属化区之间，或功率半导体芯片的发射极母排与集电极母排之间的功能单元。当功率半导体模块正常工作时，电流从集电极母排经第二金属化区流至功率半导体芯片，再经第一金属化区流至发射极母排。当功率半导体芯片工作时的发热使得功率半导体模块的内部上升至一定温度时，从集电极母排流过的电流通过功能单元直接流至发射极母排，而不再流过功率半导体芯片。本发明描述的功率半导体模块及其自保护方法无需外围控制电路参与，具有超温度自动保护功能，能够有效地保护功率半导体芯片因为过热而失效，同时降低了控制电路的复杂性，提高了系统工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN112751322A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911056421.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H02H7/20 , H02H9/04 , H03K17/081
Abstract: 本发明公开了一种IGBT管保护电路、方法、IGBT电路及设备，涉及电路技术领域，该IGBT管保护电路，短路保护单元，其连接在所述IGBT管的栅极与主发射极之间，用于当所述IGBT管的栅极与主发射极之间的电压超过预设阈值时，降低所述IGBT管的栅极电压。本发明的有益效果是：可以在IGBT管发生短路时降低IGBT管的栅极电压，从而起到抑制IGBT管栅极电压的升高，以较大幅度的地降低短路电流的作用，特别是适用于IGBT管的二类与三类短路工况，而且整个电路设计简单实用，易于实现。
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公开(公告)号：CN107275394B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201610216853.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块及其自保护方法，在第一金属化区与第二金属化区之间，或功率半导体芯片的发射极母排与集电极母排之间的功能单元。当功率半导体模块正常工作时，电流从集电极母排经第二金属化区流至功率半导体芯片，再经第一金属化区流至发射极母排。当功率半导体芯片工作时的发热使得功率半导体模块的内部上升至一定温度时，从集电极母排流过的电流通过功能单元直接流至发射极母排，而不再流过功率半导体芯片。本发明描述的功率半导体模块及其自保护方法无需外围控制电路参与，具有超温度自动保护功能，能够有效地保护功率半导体芯片因为过热而失效，同时降低了控制电路的复杂性，提高了系统工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN106707130A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2608
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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