公开(公告)号：CN106783568A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611226698.4

申请日：2016-12-27

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 姚尧 ,  杨鑫著 ,  文高 ,  蒋明明 ,  谭真华 ,  刘武平 ,  李超伟

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅极侧墙制备方法，包括：步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。通过在功率器件主体的栅极绝缘侧墙外侧沉积一层绝缘保护层，在干法刻蚀过程中，保护功率器件主体的多晶硅栅极的绝缘侧墙免受损失，使其保留较厚的厚度，从而改善器件的漏电特性，提高产品可靠性。

公开(公告)号：CN110459466A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201810426855.9

申请日：2018-05-07

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅功率器件栅极制作方法，包括以下步骤：步骤一：提供半导体衬底；步骤二：在半导体衬底上刻蚀沟槽；步骤三：在半导体衬底的上表面和沟槽的内壁上形成栅极氧化层；步骤四：在半导体衬底的上表面淀积栅极材料并填满沟槽；步骤五：氧化栅极材料并形成氧化栅极材料层；步骤六：刻蚀氧化栅极材料层。本发明利用高温炉管氧化工艺，通过氧化半导体衬底上表面的多晶硅，产生厚度均匀的多晶硅氧化层。然后利用多晶硅氧化层相对多晶硅的高刻蚀选择比，通过干法或湿法刻蚀多晶硅氧化层，从而在沟槽内形成深度均匀的多晶硅，构成完整的栅极结构，从而提高阈值电压等器件参数的片内均匀性。

公开(公告)号：CN110416079A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810397165.5

申请日：2018-04-28

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT芯片的制作方法，包括步骤一：在晶圆基片上形成有源沟槽和虚栅沟槽，虚栅沟槽设置于有源沟槽之间；步骤二：在有源沟槽和虚栅沟槽内表面形成第二氧化层，并在有源沟槽和虚栅沟槽内填充多晶硅，形成实沟槽栅和虚沟槽栅；步骤三：在晶圆基片上表面以及实沟槽栅和虚沟槽栅上形成绝缘介质层；步骤四：对绝缘介质层上的第一预设位置进行刻蚀，至少裸露出下方对应的虚沟槽栅和实沟槽栅与虚沟槽栅之间的部分晶圆基片，形成第一接触窗口。本申请通过在有源沟槽之间插入一个或多个虚栅沟槽，利用虚栅沟槽自身的宽度以及虚栅沟槽之间的间距来增加金属接触孔的尺寸，从而降低金属接触窗口的形成工艺以及金属填孔的工艺难度。

公开(公告)号：CN112751322A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201911056421.5

申请日：2019-10-31

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 余伟 ,  罗海辉 ,  袁涛 ,  邓江辉 ,  周望君 ,  江普生 ,  肖艳艳 ,  刘凯 ,  杨越 ,  姚尧 ,  刘敏安 ,  凌浪波

IPC: H02H7/20 ,  H02H9/04 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明公开了一种IGBT管保护电路、方法、IGBT电路及设备，涉及电路技术领域，该IGBT管保护电路，短路保护单元，其连接在所述IGBT管的栅极与主发射极之间，用于当所述IGBT管的栅极与主发射极之间的电压超过预设阈值时，降低所述IGBT管的栅极电压。本发明的有益效果是：可以在IGBT管发生短路时降低IGBT管的栅极电压，从而起到抑制IGBT管栅极电压的升高，以较大幅度的地降低短路电流的作用，特别是适用于IGBT管的二类与三类短路工况，而且整个电路设计简单实用，易于实现。

公开(公告)号：CN111403476A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201910002574.5

申请日：2019-01-02

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  何逸涛 ,  刘葳 ,  罗湘

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供的一种沟槽栅MOS功率器件及其栅极制作方法，通过两次热氧化工艺在不同的位置处形成了厚薄不同的两种栅极氧化层，薄氧化层的设置使得阀值电压能够满足沟槽栅MOS功率器件的正常工作要求，保证MOS功率器件正常的开关动作，厚氧化层能够降低米勒电容，解决了开关行为难以调控的问题并降低了开关损耗，且厚氧化层耐载流子轰击能力较强，提高了整个器件的长程可靠性。本发明在保证MOS功率器件正常的开关动作的同时，降低了米勒电容，解决了开关行为难以调控的问题并降低了开关损耗，且提高了长程可靠性，不受阀值电压限制。