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公开(公告)号：CN106783568A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611226698.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅极侧墙制备方法，包括：步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。通过在功率器件主体的栅极绝缘侧墙外侧沉积一层绝缘保护层，在干法刻蚀过程中，保护功率器件主体的多晶硅栅极的绝缘侧墙免受损失，使其保留较厚的厚度，从而改善器件的漏电特性，提高产品可靠性。
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