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公开(公告)号:CN108231714A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201611153311.7
申请日:2016-12-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制作方法,功率模块包括:芯片,用于布置芯片的衬板,以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括:陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面,背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面,且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大,模块散热效率低,密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号:CN108231714B
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201611153311.7
申请日:2016-12-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制作方法,功率模块包括:芯片,用于布置芯片的衬板,以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括:陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面,背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面,且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大,模块散热效率低,密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号:CN106270871A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610939537.3
申请日:2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: B23K1/00 , B23K1/20 , B23K20/00 , B23K20/24 , B23K2101/40
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件的焊接方法,包括如下步骤:向功率半导体器件的散热器换热腔中通入预定温度的换热介质;将所述功率半导体器件的衬板与所述散热器焊接。采用本发明的焊接方法进行焊接,利用散热器本身的导热特性,向散热器的换热腔通入预定温度的换热介质,能够使换热介质快速的换热,使散热器快速升温,进而提高加热效率。同时因为散热器散热,需要均匀散热,反向地,所以换热介质也就能够使散热器均匀升温,进而保证散热器被焊接位置的温度均匀性,继而保证焊接质量,所以该功率半导体器件的焊接方法能够有效地解决焊接时焊接位置升温效果不好的问题。本发明还公开了一种采样上述焊接方法的半导体器件的焊接系统。
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