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公开(公告)号：CN111129132A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811277607.9
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N-区，N-区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。
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公开(公告)号：CN106505006A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611099410.1
申请日：2016-12-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/336
CPC classification number: H01L22/12 , H01L29/66409
Abstract: 本发明提供的一种用于氧化层全性能测试的MOS结构的制备方法，该制备方法包括：提供一硅片衬底；在硅片衬底正面形成钝化层，并将钝化层打开氧化窗口；在氧化窗口的底部形成测试氧化层，测试氧化层的厚度小于钝化层的厚度；在硅片衬底正面形成正面电极；将正面电极进行刻蚀处理直至钝化层，且钝化层的厚度大于所述测试氧化层的厚度；在硅片衬底背面形成背面电极。该制备方法解决了MOS结构刻蚀损伤侧壁的问题，进而使测试氧化层具有可靠性及完整性，使得C-V测试技术对测试氧化层的可靠性和完整性的监控更加准确。
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公开(公告)号：CN111129130A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811276601.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。
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公开(公告)号：CN111128725A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811273209.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供了一种IGBT器件制备方法，该方法通过刻蚀沟槽形成高低差，使得在栅极介质沉积和刻蚀之后形成栅极侧墙结构，然后利用栅极侧墙结构在沟槽的侧面和沟槽的底部形成MOS结构，从而将平面栅结构和沟槽栅结构集成在一个器件中，提升IGBT器件整体性能。
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公开(公告)号：CN109962104A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711433645.4
申请日：2017-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件，其包括：具有第一导电类型的衬底；有源区，其设置在衬底中并具有第二导电类型；若干场限环，其设置在衬底中并具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本功率半导体器件中各个场限环的环宽之间存在基于环宽调整系数的函数关系，此外，各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409884B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610976437.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种功率半导体器件终端结构，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的的掺杂浓度。所述功率半导体器件终端结构，通过设置与场限环横向连接的第一pn结延展区，延伸了场限环外边缘区域的pn结曲面，使各场限环都形成类似于JTE的结构，从而弱化场限环外边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。
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公开(公告)号：CN106783952A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611207993.5
申请日：2016-12-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0642 , H01L29/7397
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从上到下依次设置的发射极层、N型漂移层、N型缓冲层、P+电极层，在所述N型漂移层中设置有与所述发射极层连接的P阱和浮空P阱，所述P阱两侧设置有多晶硅栅，在所述浮空P阱上与所述多晶硅栅层相邻的一侧设置有假栅，所述假栅用于将所述浮空P阱与所述多晶硅栅层分隔开。所述沟槽栅IGBT器件，通过在所述浮空P阱上与所述多晶硅栅层相邻的一侧设置假栅，将所述浮空P阱与所述多晶硅栅层分隔开，有效地减小了IGBT器件在开通过程中栅极电压过冲，从而降低了器件的开通损耗和EMI，获得更好的开关特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111129131A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811277094.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。
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公开(公告)号：CN109962016A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711432026.3
申请日：2017-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 一种功率半导体器件的制备方法，其包括：在衬底中制作场限环和有源区，其中，场限环和有源区具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本发明所提供的功率半导体器件制作方法由于各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，因此设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。
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公开(公告)号：CN106409884A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610976437.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0615
Abstract: 本发明公开一种功率半导体器件终端结构，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的掺杂浓度。所述功率半导体器件终端结构，通过设置与场限环横向连接的第一pn结延展区，延伸了场限环外边缘区域的pn结曲面，使各场限环都形成类似于JTE的结构，从而弱化场限环外边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。
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