公开(公告)号：CN106783687A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611220060.X

申请日：2016-12-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 杜龙欢 ,  唐云 ,  孙小虎 ,  罗湘 ,  谭灿健

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种改善离子注入监控的方法，包括：对监控片进行氧化，在所述监控片的表面生长氧化层；对表面具有所述氧化层的监控片进行离子注入；对离子注入后的所述监控片进行杂质激活退火；去除退火后的所述监控片表面的氧化层；测量所述监控片的方块电阻。所述改善离子注入监控的方法，通过先在监控片上生长氧化层，注入的离子穿过氧化层注入到监控片内，氧化层保护了监控片的表面而且减少激活退火过程中注入剂量的损失，在去除氧化层后，测量方块电阻，可以有效的改善离子注入监控的准确性和对比性，从而降低因监控导致对机台状态的误判，有利于提高机台使用率和降低生产成本。

公开(公告)号：CN106783607A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611114728.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 罗湘 ,  孙小虎 ,  杜龙欢 ,  唐云 ,  谭灿健

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7393

Abstract: 本申请提供一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，在得到沟槽后，形成第一栅氧层，填充第一多晶硅后，去掉部分第一多晶硅，仅保留沟槽底部的第一多晶硅，并去除沟槽侧壁上的第一栅氧层；再在所述沟槽内形成第二栅氧层，在第二栅氧层上再形成第二多晶硅层，第二多晶硅层在后续工艺中形成第二栅极，其中，第一栅氧层的厚度大于或等于所述第二栅氧层的厚度。由于本发明中在沟槽底部先形成第一栅氧层，再在沟槽侧壁上形成第二栅氧层，即将沟槽底部的栅氧层和沟槽侧壁上的栅氧层分离，通过两次栅氧工艺形成，使得第一栅氧层的厚度可以大于或等于第二栅氧层的厚度，从而对沟槽底部的栅氧层厚度进行优化，进而避免沟槽栅IGBT器件的栅极在沟槽底部被击穿。

公开(公告)号：CN109841516A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711222289.1

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢 ,  彭新华 ,  刘少杰

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种用于IGBT产品的磷扩散方法，其包括以下步骤：S1，采用RCA工艺清洗IGBT硅片；S2，将清洗后的IGBT硅片置于快速热处理机台中，通入氮气；S3，将置于快速热处理机台中的IGBT硅片升温至第一温度，通入氧气，在所述IGBT硅片的表面形成氧化层；S4，在所述第一温度下，通入氧气和携磷源气体对经氧化处理的IGBT硅片进行高温掺杂；S5，将高温掺杂得到的IGBT硅片降温至第二温度；S6，在所述第二温度下，对降温后的IGBT硅片进行低温掺杂；S7，将低温掺杂后的IGBT硅片冷却，得到磷掺杂的IGBT硅片。本发明时间短，效率高，热预算小，可获得结深浅和符合磷掺杂浓度要求的IGBT产品。

公开(公告)号：CN106505006A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611099410.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 张泉 ,  孙小虎 ,  杜龙欢 ,  罗湘 ,  唐云

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明提供的一种用于氧化层全性能测试的MOS结构的制备方法，该制备方法包括：提供一硅片衬底；在硅片衬底正面形成钝化层，并将钝化层打开氧化窗口；在氧化窗口的底部形成测试氧化层，测试氧化层的厚度小于钝化层的厚度；在硅片衬底正面形成正面电极；将正面电极进行刻蚀处理直至钝化层，且钝化层的厚度大于所述测试氧化层的厚度；在硅片衬底背面形成背面电极。该制备方法解决了MOS结构刻蚀损伤侧壁的问题，进而使测试氧化层具有可靠性及完整性，使得C-V测试技术对测试氧化层的可靠性和完整性的监控更加准确。

公开(公告)号：CN106449382A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611219089.6

申请日：2016-12-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐云 ,  杜龙欢 ,  罗湘 ,  孙小虎

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种改善IGBT磷扩散均匀性的方法，包括：将磷扩散炉升温至680℃～720℃，通入流量为15slm～30slm的氮气，将放置有需磷扩散的IGBT芯片的小舟推入所述磷扩散炉内；调温至800℃～850℃，通入流量为15slm～30slm的氮气和流量为500sccm～2000sccm的氧气，炉内的APC压力控制在0.05KPA～0.3KPA，在所述IGBT芯片的表面形成氧化阻挡层；保持温度、压力和氮气流量不变，进行第一次磷扩散。所述改善IGBT磷扩散均匀性的方法，通过在IGBT芯片表面形成氧化阻挡层，提升磷扩散的均匀性。