公开(公告)号：CN109841516A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711222289.1

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢 ,  彭新华 ,  刘少杰

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种用于IGBT产品的磷扩散方法，其包括以下步骤：S1，采用RCA工艺清洗IGBT硅片；S2，将清洗后的IGBT硅片置于快速热处理机台中，通入氮气；S3，将置于快速热处理机台中的IGBT硅片升温至第一温度，通入氧气，在所述IGBT硅片的表面形成氧化层；S4，在所述第一温度下，通入氧气和携磷源气体对经氧化处理的IGBT硅片进行高温掺杂；S5，将高温掺杂得到的IGBT硅片降温至第二温度；S6，在所述第二温度下，对降温后的IGBT硅片进行低温掺杂；S7，将低温掺杂后的IGBT硅片冷却，得到磷掺杂的IGBT硅片。本发明时间短，效率高，热预算小，可获得结深浅和符合磷掺杂浓度要求的IGBT产品。

公开(公告)号：CN207425822U

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201720905569.1

申请日：2017-07-25

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 彭新华 ,  江冰松 ,  尚可 ,  马亮 ,  廖才能

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟，所述工艺舟包括腔体，其中：所述腔体构造有用于将硅片放入所述腔体内部的安置口；所述腔体内构造有一层或多层安置台，每层安置台对应安置一片硅片；每层安置台包含一个或多个固定安装在所述腔体内壁的支撑构件，所述安置台配置为利用所述支撑构件支撑所述硅片以实现对所述硅片的水平定位安置；所述支撑构件配置为其在支撑所述硅片时上表面与所述硅片接触，其中，所述上表面构造为非水平面结构。本实用新型的工艺舟结构简单、硬件成本低；相较于现有技术，可以有效减少硅片与工艺舟的接触面积，从而有效降低硅片与工艺舟粘连情况的发生，从而降低的备件消耗费用。