公开(公告)号：CN109841516A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711222289.1

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐云 ,  罗湘 ,  谭灿健 ,  孙小虎 ,  杜龙欢 ,  彭新华 ,  刘少杰

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种用于IGBT产品的磷扩散方法，其包括以下步骤：S1，采用RCA工艺清洗IGBT硅片；S2，将清洗后的IGBT硅片置于快速热处理机台中，通入氮气；S3，将置于快速热处理机台中的IGBT硅片升温至第一温度，通入氧气，在所述IGBT硅片的表面形成氧化层；S4，在所述第一温度下，通入氧气和携磷源气体对经氧化处理的IGBT硅片进行高温掺杂；S5，将高温掺杂得到的IGBT硅片降温至第二温度；S6，在所述第二温度下，对降温后的IGBT硅片进行低温掺杂；S7，将低温掺杂后的IGBT硅片冷却，得到磷掺杂的IGBT硅片。本发明时间短，效率高，热预算小，可获得结深浅和符合磷掺杂浓度要求的IGBT产品。