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公开(公告)号：CN111103460A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811251334.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种提高四探针RS测试准确性的方法，包括：步骤1：检查四探针测量设备的探针状态；步骤2：将需要检测RS的硅片传送到四探针测量设备的载片台上面；步骤3：调节探针在硅片上的扎针深度，确定扎针基准面；步骤4：在硅片上选取一点进行单点RS测试，获取该点的多个扎针深度和每个扎针深度所对应的RS值；步骤5：绘制扎针深度与RS之间的关系曲线；步骤6：根据关系曲线确定最佳扎针深度。本发明可以根据扎针深度与RS值之间的对应关系，能够快速准确的使四探针测量设备对待测硅片进行扎针，并能确保该扎针深度下获得稳定和准确的RS值，真实反应离子注入机等设备的运行状况，提高了离子注入机的利用率和可信度，对产生过程有着重要意义。
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公开(公告)号：CN106783608B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201611200710.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种终端结构及其制作方法和功率半导体器件，首先在基材表面淀积一层多晶硅层，而后分阶段淀积含氧量呈增大趋势的多层过渡掺氧半绝缘多晶硅层，最后稳定通入目标流量的一氧化二氮，以淀积一层目标含氧量的目标掺氧半绝缘多晶硅层。由于多晶硅层、过渡掺氧半绝缘多晶硅层和目标掺氧半绝缘多晶硅层顺延基材的界面生长，且由于过渡掺氧半绝缘多晶硅层和目标掺氧半绝缘多晶硅层的含氧量是渐变的，进而降低了界面突变产生的陷阱，减少了界面处电荷的积累，进而减小漏电电流，保证了功率半导体器件的性能高。
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公开(公告)号：CN106783608A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611200710.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种终端结构及其制作方法和功率半导体器件，首先在基材表面淀积一层多晶硅层，而后分阶段淀积含氧量呈增大趋势的多层过渡掺氧半绝缘多晶硅层，最后稳定通入目标流量的一氧化二氮，以淀积一层目标含氧量的目标掺氧半绝缘多晶硅层。由于多晶硅层、过渡掺氧半绝缘多晶硅层和目标掺氧半绝缘多晶硅层顺延基材的界面生长，且由于过渡掺氧半绝缘多晶硅层和目标掺氧半绝缘多晶硅层的含氧量是渐变的，进而降低了界面突变产生的陷阱，减少了界面处电荷的积累，进而减小漏电电流，保证了功率半导体器件的性能高。
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公开(公告)号：CN207425822U
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201720905569.1
申请日：2017-07-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟，所述工艺舟包括腔体，其中：所述腔体构造有用于将硅片放入所述腔体内部的安置口；所述腔体内构造有一层或多层安置台，每层安置台对应安置一片硅片；每层安置台包含一个或多个固定安装在所述腔体内壁的支撑构件，所述安置台配置为利用所述支撑构件支撑所述硅片以实现对所述硅片的水平定位安置；所述支撑构件配置为其在支撑所述硅片时上表面与所述硅片接触，其中，所述上表面构造为非水平面结构。本实用新型的工艺舟结构简单、硬件成本低；相较于现有技术，可以有效减少硅片与工艺舟的接触面积，从而有效降低硅片与工艺舟粘连情况的发生，从而降低的备件消耗费用。
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