一种母排端子及IGBT功率模块

    公开(公告)号:CN112750803B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN201911053070.2

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本申请提供了一种母排端子,应用于大功率IGBT模块,所述母排端子包括发射极母排和集电极母排,所述发射极母排和所述集电极母排均包括一主体部和设置在所述主体部底部的引脚,所述引脚包括与所述主体部连接的管脚踝部,及与所述管脚踝部连接的末端部,所述管脚踝部和所述末端部位于不同平面。本申请的母排端子能够更好地与衬板进行连接。不但能释放超声焊接工艺中所产生的机械应力以及后续大电流工况下的热电耦合应力,还能消减洛伦兹力在端部的电磁扭矩。

    一种引线框架及利用引线框架制作转模功率模块的方法

    公开(公告)号:CN110828413A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201810888827.9

    申请日:2018-08-07

    Abstract: 本发明提供的一种引线框架,该引线框架通过连接杆将各引出端子相对外部框架固定,各引出端子与外部框架形成一个整体,各引出端子的具体位置根据实际情况预先设计布置,陶瓷衬板和引线框架间采用工装定位,通过陶瓷衬板相对引线框架的一次性定位就能准确定位出所有引出端子与陶瓷衬板的连接位置,简化了定位和连接工艺流程并提高了定位的准确性,提高了生产效率和产品成品率,降低了制造周期及自动化生产的复杂性,为实现一体化自动定位连接提供可能性。本发明还提供一种制作转模功率模块的方法,通过先将引出端子定位固定再将引出端子折弯的方式降低了烧结工艺的复杂度,保证了引出端子尺寸的精度,使操作及加工更为方便。

    压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法

    公开(公告)号:CN110715952A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201810768745.0

    申请日:2018-07-13

    Abstract: 本发明提供了一种压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法,包括以下步骤:步骤1.绘制器件电学参数结压降Vce与结温Tj的关系曲线;步骤2.绘制器件壳表面与散热基板直接压接接触的第一瞬态热阻抗曲线Zth-jc(direct)(t);步骤3.绘制器件壳表面与散热基板间添加第二接触层时的第二瞬态热阻抗曲线Zth-jc(metal)(t);步骤4.绘制瞬态热阻抗分离点曲线;步骤5.确定器件结壳热阻。本发明的测量方法能够更便捷地更准确地测量压接式功率半导体器件结壳热阻。

    一种功率半导体模块封装结构

    公开(公告)号:CN110400794A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201810377574.9

    申请日:2018-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构,其特征在于,包括基板;壳体,所述壳体的底部与所述基板的顶部紧固连接;功率半导体模块子单元,其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内,用于形成拓扑控制电路结构,所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板,相对布置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接,所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够成倍增加电流密度,成品率高且可靠性好。

    一种功率半导体模块封装结构

    公开(公告)号:CN110867416A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201810983857.8

    申请日:2018-08-27

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构,其特征在于,包括基板;壳体,所述壳体与所述基板紧固连接;功率半导体模块子单元,其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内,用于形成拓扑控制电路结构,所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板,相对设置的两所述衬板之间通过主功率端子和模块级键合线连接,所述主功率端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部;辅助端子,用于将驱动信号引入所述功率半导体模块子单元,所述辅助端子的底部引脚与所述衬板连接,所述辅助端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够提高功率半导体模块的散热效率,均衡寄生电感或电阻参数,提高工艺的一致性,损耗低,可靠性好。

    一种母排端子及IGBT功率模块

    公开(公告)号:CN112750803A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201911053070.2

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本申请提供了一种母排端子,应用于大功率IGBT模块,所述母排端子包括发射极母排和集电极母排,所述发射极母排和所述集电极母排均包括一主体部和设置在所述主体部底部的引脚,所述引脚包括与所述主体部连接的管脚踝部,及与所述管脚踝部连接的末端部,所述管脚踝部和所述末端部位于不同平面。本申请的母排端子能够更好地与衬板进行连接。不但能释放超声焊接工艺中所产生的机械应力以及后续大电流工况下的热电耦合应力,还能消减洛伦兹力在端部的电磁扭矩。

    直接冷却散热基板及其功率模块

    公开(公告)号:CN110707054A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201810753125.X

    申请日:2018-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种无需导热硅脂层与外部散热器接触,实现直接液体冷却的直接冷却散热基板,包括电气回路层、绝缘层和散热层所述散热层包括直接冷却层,所述直接冷却层能够进行风冷或直接接入外部冷却系统,实现直接冷却。本发明还提供了一种由该直接冷却散热基板制备成的功率模块。本发明的直接冷却散热基板及其功率模块,通过在金属层下集成多孔金属泡沫结构,可以接入外部冷却系统,通过外部冷却液体实现直接冷却,减少模块内部材料的热界面数量,降低了模块热阻,提高了功率模块的散热性能和可靠性,实现功率IGBT模块快速高效散热,并达到减小模块重量和体积的目的,具有热阻低、重量轻、可靠性高的优点。

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