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发明公开
压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法无效转让

公开(公告)号：CN110715952A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201810768745.0

申请日：2018-07-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王彦刚 , 齐放 , 李贺龙 , 王亚飞 , 李道会 , 戴小平 , 刘国友

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明提供了一种压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法，包括以下步骤：步骤1.绘制器件电学参数结压降Vce与结温Tj的关系曲线；步骤2.绘制器件壳表面与散热基板直接压接接触的第一瞬态热阻抗曲线Zth-jc(direct)(t)；步骤3.绘制器件壳表面与散热基板间添加第二接触层时的第二瞬态热阻抗曲线Zth-jc(metal)(t)；步骤4.绘制瞬态热阻抗分离点曲线；步骤5.确定器件结壳热阻。本发明的测量方法能够更便捷地更准确地测量压接式功率半导体器件结壳热阻。

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