-
公开(公告)号：CN1348199A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01133094.5
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件,例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下,选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物,得到结晶硅膜,再以它们作起始点,在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜,然后再使其热结晶化,构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时,得到漏电小和迁移率高的晶体管。
-
公开(公告)号：CN1316769A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN00134482.X
申请日：1994-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L27/1277 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。
-
公开(公告)号：CN1055786C
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN94108922.3
申请日：1994-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区体的结晶硅薄。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
-
公开(公告)号：CN1043703C
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN95108329.5
申请日：1995-06-15
Applicant: 夏普公司 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/085 , H01L21/8232 , G09G3/18 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/78621
Abstract: 一种液晶显示器件包括：一包括液晶层的显示部分；一对夹持该液晶层的基片；许多位于这对基片之一上的以阵列方式分布的象素电极；许多分别连接到所述那些象素电极的第一薄膜晶体管，及被定位用于驱动所述显示部分的位于第一薄膜晶体管所在的基片上并有第二薄膜晶体管的外部驱动电路；各第一、二薄膜晶体管分别包括由第一、二晶体硅层构成的第一、二沟道层，包括促进结晶用的催化元素的第二晶体硅层比第一晶体硅层的迁移率更高。
-
公开(公告)号：CN1152792A
公开(公告)日：1997-06-25
申请号：CN96114412.2
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1108004A
公开(公告)日：1995-09-06
申请号：CN94104268.5
申请日：1994-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/36 , H01L29/772 , H01L21/336 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化，在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。
-
公开(公告)号：CN1870293B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200610073781.2
申请日：2000-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78684
Abstract: 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT 和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。
-
公开(公告)号：CN101577271B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910147514.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制作方法本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
-
公开(公告)号：CN102354067A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110293254.3
申请日：2004-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/13357 , G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , G02F2001/13613 , H01L27/14678 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592
Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。
-
公开(公告)号：CN101304045B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810108893.6
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/92 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/0217 , B32B17/04 , B32B17/06 , C23C14/0652 , C23C14/5846 , H01L21/02266 , H01L21/3145 , H01L21/3185 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3297 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及氮化硅膜、半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于应用一种在玻璃衬底上、在应变点之下的温度下形成可用作为栅极绝缘膜或保护膜的高质量的致密的绝缘膜的技术，应用该技术可以实现性能好、可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置在作为沟道长度为0.35～2.5μm的场效应晶体管的栅极绝缘膜中，在结晶半导体膜上经氧化硅膜形成氮化硅膜，该氮化硅膜的含氢浓度在1×1021/cm3以下、含氧浓度为5×1018～5×1021/cm3、且具有对包含7.13％的氟化氢铵(NH4HF2)和15.4％的氟化铵(NH4F)的混合水溶液的腐蚀速度在10nm/min以下的特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
237
records
(took 0.03 seconds)
