-
公开(公告)号：CN100499175C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410087478.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0203
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L23/49805 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。
-
公开(公告)号：CN101313413A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043181.X
申请日：2006-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L29/41 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/03762
Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
-
公开(公告)号：CN101290940A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810088343.2
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L27/12 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L31/02005 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/1147 , H01L2224/16 , H01L2224/8121 , H01L2224/8122 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01054 , H01L2924/0106 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/12043 , H01L2924/15787 , H01L2224/13099 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的为如下：在将光电转换元件安装在布线衬底等时，提高其固定强度，来解决接触不良及剥离等的问题。本发明涉及一种半导体装置，其中，在第一衬底上包括：光电转换层；包括至少两个薄膜晶体管的放大电路，该放大电路放大光电转换层的输出电流；以及供应高电位电源的第一电极及供应低电位电源的第二电极，该第一电极和第二电极电连接到所述光电转换层及所述放大电路，并且，在所述第一衬底的最上层包括：与导电材料形成合金的固定层，并且，在第二衬底上包括：第三电极和第四电极；以及固定所述第一电极和所述第三电极并固定所述第二电极和所述第四电极的所述导电材料。
-
公开(公告)号：CN101246894A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810009974.0
申请日：2008-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/482 , H01L21/84 , H01L21/60
CPC classification number: H01L31/147 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L31/153 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置，包括：其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底；在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路；设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极；设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极；包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结，该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。
-
公开(公告)号：CN100399512C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410001022.6
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/42
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/28556 , Y02E10/548
Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p-i-n结100，和一个透明电极层16。所述p-i-n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1989624A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024505.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14665 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过并行地执行形成薄膜晶体管的步骤和形成光电变换层的步骤在短时间内制造的半导体器件，以及提供其制造工艺。根据本发明，以如下方式制造一种半导体器件，其中在第一衬底上方形成薄膜晶体管，在第二衬底上方形成光电变换元件，以及通过在彼此相对的第一衬底和第二衬底之间夹置导电层电连接薄膜晶体管和光电变换元件，以使薄膜晶体管和光电变换元件位于第一和第二衬底之间。因此，可以提供一种半导体器件的制造方法，其抑制了步骤数增加并增加了生产量。
-
公开(公告)号：CN1841789A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073777.6
申请日：2006-03-30
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层(4)包含非晶硅时，在该光电转换层(4)与反射电极层(2)之间设置光吸收层(3)。光电转换层(4)(非晶硅)主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层(3)主要对长波段具有光吸收特性。经由光电转换层(4)的入射光(太阳光)(L)再经过光吸收层(3)后在反射电极层(2)上反射，即入射光(L)中在光电转换层(4)和光吸收层(3)上被吸收后的残余光在反射电极层(2)反射，因此与在光电转换层(4)与反射电极层(2)之间不设光吸收层(3)的情况相比，抑制了反射光(R)的红色。
-
公开(公告)号：CN1783506A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510108891.3
申请日：2005-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14692
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。
-
公开(公告)号：CN1519891A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410001022.6
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/42
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/28556 , Y02E10/548
Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p－i－n结100，和一个透明电极层16。所述p－i－n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。
-
公开(公告)号：CN1198253A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN97190957.1
申请日：1997-07-23
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/046 , G04C10/02 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及所需形状平面型太阳能电池。该太阳能电池包括多个由分隔该平面形成的光电转换器件;多个用于把各个光电转换器件互相串联地连接的导电路径,在多个光电变换器件附近提供导电路径;和两个在与光照射表面相对的表面上露出的引出电极,在串联地连接的诸光电转换器件的两端的两个光电转换器件上,连接这两个电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.034 seconds)
