公开(公告)号：CN104617203A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410812272.1

申请日：2011-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泉洋 ,  冈田康秀 ,  小幡进 ,  中具道 ,  樋口和人 ,  下川一生 ,  杉崎吉昭 ,  小岛章弘

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0058

Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。

公开(公告)号：CN104465970A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410407696.X

申请日：2014-08-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小幡进 ,  藤井孝佳 ,  樋口和人 ,  小岛章弘

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/502

Abstract: 有关实施方式的半导体发光装置具备包含发光层在内的层叠体、设在上述层叠体之上的第1及第2电极、将上述层叠体、上述第1及第2电极覆盖的绝缘层、电连接在上述第1电极上的第1再配线、电连接在上述第2电极上的第2再配线、和将上述层叠体的侧面覆盖的遮光部。上述第1再配线、上述第2再配线及上述遮光部在与上述绝缘层接触的面上包含对于上述发光层的放射光的反射率为80％以上的部件。

公开(公告)号：CN103828053A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280044655.8

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 秋元阳介 ,  杉崎吉昭 ,  小岛章弘 ,  樋口和人 ,  西内秀夫 ,  小幡进

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L51/50 ,  H01L2224/24 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: 公开了一种包括多个芯片（3）半导体发光器件（10a）。每一个所述芯片（3）包括：半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面（15a）相对的一侧的第二面、以及发光层（12a）；以及被设置在所述第二面上的p侧电极（16）和n侧电极（17），并且每一个所述芯片（3）彼此分离开。p侧外部端子（23a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述p侧电极（16）的p侧金属柱（23）的端面。n侧外部端子（24a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述n侧电极（17）的n侧金属柱（24）的端面。层（25）将p侧金属柱（23）与n侧金属柱（24）分离开，并且具有比所述半导体层（15）的硬度更低的硬度。

公开(公告)号：CN103403890A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180069018.1

申请日：2011-08-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉崎吉昭 ,  小岛章弘 ,  秋元阳介 ,  安田秀文 ,  高桥望 ,  樋口和人 ,  小幡进 ,  田村英男

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L23/498 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L21/28 ,  H01L23/49805 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。

公开(公告)号：CN103325933A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310123335.8

申请日：2013-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村晃也 ,  樋口和人 ,  下川一生 ,  小幡进 ,  中山俊弥 ,  伊藤寿

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: 一种半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电柱、密封单元、以及第一和第二端子。该发光单元包括第一和第二半导体层以及发光层。该发光层设置在第一半导体层上。该第二半导体层设置在该发光层上。该第一导电柱设置在该第一半导体层上。该第二导电柱设置在该第二半导体层上。密封单元覆盖发光单元、第一导电柱、以及第二导电柱中的每一个的侧面。第一端子设置在第一导电柱和密封单元之上。第二端子设置在第二导电柱和密封单元上。

公开(公告)号：CN102270733A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110207833.1

申请日：2011-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泉洋 ,  冈田康秀 ,  小幡进 ,  中具道 ,  樋口和人 ,  下川一生

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0058

Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。

公开(公告)号：CN102270721A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110159444.6

申请日：2011-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西内秀夫 ,  樋口和人 ,  小幡进 ,  中山俊弥

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/02 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/647 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。

公开(公告)号：CN101154642A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710161214.7

申请日：2007-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小幡进 ,  小松出 ,  井口知洋 ,  木谷智之 ,  平原昌子 ,  浮田康成 ,  樋口和人

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/24 ,  H01L24/40 ,  H01L24/82 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种可靠性高、容易制造且能使内阻更加降低的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有：半导体元件3；引线4，具有与设置在半导体元件3上的电极连接的电极；以及金属膜6，使半导体元件3的电极与引线4的电极电连接。