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公开(公告)号：CN101471414A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810184728.9
申请日：2008-12-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C08L83/04 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2224/32245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的课题是提供一种减少了密封材料的裂缝的产生的半导体发光装置的制造方法。该方法的特征在于，包括：将相对于密封材料的干重为10重量％以上且50重量％以下的低分子硅烷类或硅烷醇类、以及含有烷氧基硅氧烷的醇溶液混合来配制混合溶液的第一工序，将混合溶液涂布在发光元件上的第二工序，对混合溶液中的醇溶液成分进行蒸发后干燥而成为密封材料的第三工序，使密封材料固化的第四工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403890A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN101471414B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810184728.9
申请日：2008-12-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C08L83/04 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2224/32245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的课题是提供一种减少了密封材料的裂缝的产生的半导体发光装置的制造方法。该方法的特征在于，包括：将相对于密封材料的干重为10重量％以上且50重量％以下的低分子硅烷类或硅烷醇类、以及含有烷氧基硅氧烷的醇溶液混合来配制混合溶液的第一工序，将混合溶液涂布在发光元件上的第二工序，对混合溶液中的醇溶液成分进行蒸发后干燥而成为密封材料的第三工序，使密封材料固化的第四工序。
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公开(公告)号：CN103403890B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN100382345C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410104168.3
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明可防止由于树脂在反射面爬升造成反射面的集光效果低下的情形，包括引线(20)，光半导体组件(23)设置于其上且用于从外部对光半导体组件(23)传送电力，以及一外围构件(30)以保持该引线(20)，且形成一凹部以暴露出光半导体组件(23)的联机区域。其中该外围构件被形成包括第1凹部(50)，可以容置光半导体组件与光学树脂材料；第2凹部(60)具有反射面(61)，被配置以围绕第1凹部(50)，使从第1凹部(50)发出的光反射；以及突条部(70)，在第1凹部(50)与第2凹部(60)之间，在光学树脂材料被填入第1凹部(50)之际，可以防止光学树脂材料在第2凹部(60)的浸湿爬升。
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公开(公告)号：CN1638164A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104168.3
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明可防止由于树脂在反射面爬升造成反射面的集光效果低下的情形，包括引线20，其被设置于光半导体组件23上且用于从外部从对光半导体组件23传送电力，以及一外围构件30以保持该引线20，且形成一凹部以暴露出光半导体组件23的联机区域。其中该外围构件被形成包括第1凹部50，可以容置光半导体组件与光学树脂材料；第2凹部60具有反射面61，被配置以围绕第1凹部50，使从第1凹部50发出的光反射；以及突条部70，在第1凹部50与第2凹部60之间，在光学树脂材料被填入第1凹部50之际，可以防止光学树脂材料在第2凹部60的浸湿爬升。
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