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公开(公告)号：CN103325933A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310123335.8
申请日：2013-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/647 , H01L2224/16245 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 一种半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电柱、密封单元、以及第一和第二端子。该发光单元包括第一和第二半导体层以及发光层。该发光层设置在第一半导体层上。该第二半导体层设置在该发光层上。该第一导电柱设置在该第一半导体层上。该第二导电柱设置在该第二半导体层上。密封单元覆盖发光单元、第一导电柱、以及第二导电柱中的每一个的侧面。第一端子设置在第一导电柱和密封单元之上。第二端子设置在第二导电柱和密封单元上。
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公开(公告)号：CN108735721A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810190168.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/065 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/3205 , H01L2224/32227 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265
Abstract: 半导体装置包括第1、第2半导体芯片、金属基体及第1、第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1、第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。
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公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
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公开(公告)号：CN108417567A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810126719.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/485 , H01L24/26 , H01L24/33 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2924/014 , H01L2924/1425
Abstract: 提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。实施方式的半导体模块具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1连接构件设置在上述第1开关元件的第1电极及上述第1二极管的第4电极上，具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。
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公开(公告)号：CN103403895A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108417567B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201810126719.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。实施方式的半导体模块具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1连接构件设置在上述第1开关元件的第1电极及上述第1二极管的第4电极上，具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。
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公开(公告)号：CN103403895B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103325933B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310123335.8
申请日：2013-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/647 , H01L2224/16245 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 一种半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电柱、密封单元、以及第一和第二端子。该发光单元包括第一和第二半导体层以及发光层。该发光层设置在第一半导体层上。该第二半导体层设置在该发光层上。该第一导电柱设置在该第一半导体层上。该第二导电柱设置在该第二半导体层上。密封单元覆盖发光单元、第一导电柱、以及第二导电柱中的每一个的侧面。第一端子设置在第一导电柱和密封单元之上。第二端子设置在第二导电柱和密封单元上。
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公开(公告)号：CN104037299A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310511836.3
申请日：2013-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/0079 , H01L33/501 , H01L33/504 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一实施例，半导体发光元件包括在第一方向延伸的第一导电柱、在第一方向延伸的第二导电柱、设置在第一导电柱上的第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、设置在发光层上和第二导电柱上的第二导电类型的第二半导体层、覆盖第一导电柱的侧表面和第二导电柱的侧表面的密封单元、以及设置在第二半导体层上并具有透光性的透光层。透光层的上表面部分的硬度高于上表面部分与第二半导体层之间的下部的硬度。
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公开(公告)号：CN102694113A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210075913.0
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一和第二电极、第一和第二互连、第一和第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一和第二半导体层和发光层。第一和第二电极分别连接到第一和第二半导体层。第一和第二互连分别连接到第一和第二电极。第一和第二柱分别连接到第一和第二互连。第一绝缘层设置在所述互连和所述柱上。第一和第二柱具有在第一绝缘层的表面中暴露的第一和第二监视焊盘。第一和第二互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一和第二键合焊盘。
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