公开(公告)号：CN108417567B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810126719.8

申请日：2018-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村晃也 ,  井口知洋 ,  佐佐木阳光

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。实施方式的半导体模块具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1连接构件设置在上述第1开关元件的第1电极及上述第1二极管的第4电极上，具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。

公开(公告)号：CN108417567A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810126719.8

申请日：2018-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村晃也 ,  井口知洋 ,  佐佐木阳光

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/485 ,  H01L24/26 ,  H01L24/33 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1425

Abstract: 提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。实施方式的半导体模块具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1连接构件设置在上述第1开关元件的第1电极及上述第1二极管的第4电极上，具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。

公开(公告)号：CN106972001A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611144609.1

申请日：2016-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口知洋 ,  佐佐木阳光 ,  山本哲也 ,  栂嵜隆

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/051 ,  H01L23/142 ,  H01L23/145 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/528

Abstract: 一实施方式的半导体模块具有第一和第二布线部、多个第一半导体装置以及多个第二半导体装置。上述第二布线部与上述第一布线部对置地设置。上述第三布线部与上述第一布线部对置地设置。各个第一半导体装置设置在上述第一布线部与上述第二布线部之间，具有第一开关元件，该第一开关元件的输入端子或输出端子与上述第一布线部电连接。各个第二半导体装置设置在上述第一布线部与上述第三布线部之间，具有第二开关元件，上述第二开关元件的输出端子或输入端子与上述第一开关元件相反地电连接于上述第一布线部。

公开(公告)号：CN108735721A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810190168.1

申请日：2018-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木阳光 ,  井口知洋 ,  木村晃也

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3205 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265

Abstract: 半导体装置包括第1、第2半导体芯片、金属基体及第1、第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1、第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。