公开(公告)号：CN116368598A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180062366.X

申请日：2021-07-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  R·库斯特拉 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  J·D·平松

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料，其中基板的特征在于：低于或约50℃的温度。沉积态含硼材料可以特征在于：小于或约2nm的表面粗糙度，以及小于或约‑500MPa的应力水平。在一些实施例中，含硼材料的层可用作硬模。

公开(公告)号：CN116325077A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063959.8

申请日：2021-10-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于选择性沉积含锗膜的方法。本公开的一些实施例提供在裸硅上沉积而在氧化硅表面上几乎不沉积或不沉积。本公开的一些实施例提供在沟槽侧壁上的共形膜。本公开的一些实施例提供不具有缝隙或空洞的优越间隙填充。

公开(公告)号：CN110476222B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201880023145.X

申请日：2018-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  江施施

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；处理所述可流动膜以形成Si‑X膜，其中X＝C、O或N；以及固化所述可流动膜或所述Si‑X膜以凝固所述膜。所述可流动膜可以通过使用更高阶的硅烷和等离子体形成。UV固化、或其他固化可以用于凝固所述可流动膜或所述Si‑X膜。

公开(公告)号：CN110892505B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880046268.5

申请日：2018-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复；以及蚀刻所述经退火的非晶硅以去除所述一个或多个特征之间的所述经退火的非晶硅中的一个或多个空隙。通常，将沉积、退火和蚀刻工艺重复任何合适的次数以实现非晶硅间隙填充，而在一个或多个特征之间没有任何接缝或空隙。

公开(公告)号：CN115943482A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050627.6

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·杰哈 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例处理方法可包括：形成含硅前驱物的等离子体。方法可包括：利用含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可限定半导体基板内的特征。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。可从偏压功率源将偏压功率施加至基板支撑件。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物从半导体基板内的特征的侧壁蚀刻可流动膜。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物将限定于半导体基板内的特征内的保留的可流动膜致密化。

公开(公告)号：CN107851558B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201680044019.3

申请日：2016-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·S·安德伍德 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 描述用于减少图案化基板上的多孔膜经历的收缩的方法。该膜可以是含硅和氢的层，该含硅和氢的层进一步含有碳、氧及氮中的一者或两者。沉积之后，立刻通过同时暴露于相对小的分子前体(例如NH3或C2H2)和UV光源来处理该含硅和氢的层。该处理甚至可以减少该多孔膜随后由于反应前的明显渗透而在该膜底部经历的收缩。该处理可以减少在填充有该多孔膜的沟槽的底部的收缩，从而在处理完成之后提供在该沟槽内保持较大填充因子的效益。

公开(公告)号：CN113056808A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980075800.0

申请日：2019-11-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 讨论了沉积碳膜的方法。一些实施例相较于介电表面，在金属表面上选择性地沉积碳膜。一些实施例相较于介电表面，在金属表面上选择性地形成碳柱。一些实施例在形成自对准通孔时利用碳柱。

公开(公告)号：CN107949918B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680050010.3

申请日：2016-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  P·曼纳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L29/417

Abstract: 本文中所述的实施方式总体涉及对基板上的三维(3D)结构的掺杂。在一个实施方式中，保形的含掺杂物膜可沉积在3D结构上方。可结合在膜中的合适的掺杂物可以包括硼、磷、和其他合适的掺杂物。随后可使膜退火以将掺杂物扩散至3D结构中。

公开(公告)号：CN112514031A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050230.X

申请日：2019-08-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克 ,  S·D·耐马尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/16 ,  H01L27/11524

Abstract: 公开了一种石墨烯阻挡层。一些实施例涉及能够防止从填充层扩散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻挡层。一些实施例涉及防止氟从钨层扩散到下面的基板中的石墨烯阻挡层。附加实施例涉及包含石墨烯阻挡层的电子装置。

公开(公告)号：CN112437971A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201980047986.9

申请日：2019-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  S·E·戈特海姆 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 描述了沉积高密度介电膜以用于图案化应用的技术。更具体来说，提供了处理基板的方法。所述方法包括使含有前驱物的气体混合物流动到处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有在静电卡盘上定位的基板。将基板维持在约0.1毫托(mTorr)与约10托(Torr)之间的压力下。通过将第一RF偏压施加到静电卡盘以在基板水平处产生等离子体，而在基板上沉积介电膜。介电膜具有在约1.5至约3的范围中的折射率。