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公开(公告)号：CN103189999A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180050221.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
IPC: H01L31/075 , H01L31/072 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C23C16/30
CPC classification number: H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
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公开(公告)号：CN103189991A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180051105.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用在薄膜晶体管器件中的III-V族材料的方法。在一个实施例中，由溶液型前驱物所形成的含有或不含掺杂剂的砷化镓基(GaAs)层可用于薄膜晶体管器件中。可将由溶液型前驱物所形成的砷化镓基层并入薄膜晶体管器件中以增进器件性能和器件速度。在一个实施例中，薄膜晶体管结构包含设置于基板上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上方的砷化镓基层及邻接砷化镓基层而设置的源极-漏极金属电极层。
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公开(公告)号：CN112041977B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980028939.X
申请日：2019-03-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿维舍克·古什 , 普莉娜·松特海利亚·古拉迪雅 , 罗伯特·简·维瑟
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及对经受真空处理的基板的检查。在一个实施方式中，处理腔室包括：第一观察口、第二观察口、电磁辐射发射器及检测器，第一观察口使电磁辐射的发射器能够照射处理腔室中的基板，第二观察口使检测器能够检测从基板散射的电磁辐射。
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公开(公告)号：CN118091808A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410176783.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·于-泰克·扬 , 卢多维克·戈代 , 罗伯特·简·维瑟 , 拿玛·阿加曼 , 克里斯托弗·丹尼斯·本彻 , 韦恩·麦克米兰
IPC: G02B5/18 , H01L21/027 , H01L21/324 , H01L21/02 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03H1/02 , G02B26/08 , G02B30/26
Abstract: 本文实施方式描述一种亚微米3D光学材料结构及用于形成该亚微米3D光学材料结构的方法。在第一实施方式中，提供一种在无需平坦化的情况下在基板上形成亚微米3D光学材料结构的方法。该方法包括在基板上沉积待被图案化的材料堆叠，在材料堆叠的一部分上沉积并图案化厚掩模材料，将该材料堆叠向下蚀刻一个水平，修整厚掩模材料的侧面部分，将该材料堆叠再向下蚀刻一个水平，重复修整和蚀刻步骤“n”次以上，及从材料堆叠上剥离厚掩模材料。
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公开(公告)号：CN111819497B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201980017035.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·于-泰克·扬 , 卢多维克·戈代 , 罗伯特·简·维瑟 , 拿玛·阿加曼 , 克里斯托弗·丹尼斯·本彻 , 韦恩·麦克米兰
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本文实施方式描述一种亚微米3D光学材料结构及用于形成该亚微米3D光学材料结构的方法。在第一实施方式中，提供一种在无需平坦化的情况下在基板上形成亚微米3D光学材料结构的方法。该方法包括在基板上沉积待被图案化的材料堆叠，在材料堆叠的一部分上沉积并图案化厚掩模材料，将该材料堆叠向下蚀刻一个水平，修整厚掩模材料的侧面部分，将该材料堆叠再向下蚀刻一个水平，重复修整和蚀刻步骤“n”次以
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114945870B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202080092787.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐永安 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 罗伯特·简·维瑟 , 卢多维克·戈代
Abstract: 本公开内容的实施方式关于用于在光源的传播方向上定位掩模的方法。掩模对应于待写入基板的光刻胶层中的图案。通过拼接第一掩模和第二掩模来定位掩模。第一掩模包括一组第一特征，第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分。第二掩模包括一组第二特征，第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接，以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分。第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。
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公开(公告)号：CN115516657A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180018161.1
申请日：2021-01-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)沉积系统，包括两个沉积腔室、位于两个沉积腔室之间的传送腔室、具有一个或多个传感器以用于对传送腔室内的工件执行测量的计量系统、及用于使系统在工件上形成有机发光二极管层堆叠的控制系统。在工件在两个沉积腔室之间传送的同时及将工件保持在传送腔室内的同时，在工件周围维持真空。控制系统被配置成使两个沉积腔室将两层有机材料沉积到工件上，并从计量系统接收传送腔室中的工件的多个第一测量。
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公开(公告)号：CN115104194A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180014515.5
申请日：2021-01-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)装置包括基板、基板上的阱结构，阱结构具有带有侧壁与底面的凹槽、覆盖阱的底面与侧壁的下部金属层、在下部金属层上且覆盖阱的底面及接触下部金属层的上部导电层，上部导电层具有在侧壁与底面的大约交界处的外边缘、由下部金属层的氧化物形成的介电层，介电层覆盖阱的侧壁而不覆盖上部导电层、至少覆盖阱的底面的OLED层堆叠，上部导电层提供用于OLED层堆叠的电极、及在阱中且在OLED层堆叠与介电层上方的光提取层(LEL)。
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公开(公告)号：CN115023822A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080094852.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种封装有机发光二极管显示器的方法，包括：将多个第一聚合物突起物沉积到具有多个有机发光二极管(OLED)的显示层的发光侧上，使得多个第一聚合物突起物之间具有暴露下层表面的空间；和由第一介电层保形地涂覆第一聚合物突起物和在第一聚合物突起物之间的空间，使得第一介电层具有沿着第一聚合物突起物的侧面的侧壁并且在侧壁之间的空间中限定阱。
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公开(公告)号：CN114747038A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080081553.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)结构包括：OLED层堆叠，OLED层堆叠包括具有平坦部分的发光区；以及由UV固化油墨形成的光提取层，其设置在OLED层堆叠的发光区上。光提取层沿着垂直于平坦部分的轴具有折射率梯度。
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