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公开(公告)号：CN107567508A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201580078939.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3492 , C23C14/54
Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN118056485A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280067103.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性子像素结构包括定向发光二极管结构，其以具有小于或约10°的发散角的发射光的半峰全宽(FWHM)为特征。子像素结构进一步包括透镜，透镜位于距发光二极管结构第一距离处，其中透镜的形状被设置以聚焦从发光二极管结构的发射光。子像素结构又进一步包括图案化的光吸收屏障，图案化的光吸收屏障位于距透镜第二距离处。图案化的光吸收屏障界定屏障中的开口，且由透镜聚焦的光的焦点位于开口中。子像素结构可结合到像素结构中，且像素结构可结合到没有偏光层的显示器中。
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公开(公告)号：CN115997488A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180051108.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/858 , H10K50/856 , H10K59/35
Abstract: 本公开内容通常涉及具有3D成像能力的OLED显示器。一种光场显示器，包括3D光场像素阵列，3D光场像素的每一者包括波纹OLED像素阵列、邻近3D光场像素阵列设置的超构表面层、及设置在超构表面层与波纹OLED像素之间的多个中间层。波纹OLED像素的每一者包括原色或非原色子像素，并且通过中间层向超构表面产生图像的不同视图，以形成3D图像。波纹OLED像素与空腔效应相结合，减少了发射光的发散，使得超构表面能够有效地操纵光束方向。具有较高折射率及较小填充因数的超构表面能够很好地控制来自波纹OLED像素的发射光的偏转及方向。
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公开(公告)号：CN118160097A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071650.8
申请日：2022-09-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/15 , H01L33/58 , H01L25/075 , H01L33/50
Abstract: 描述了一种发光像素结构，其可包括一组发光二极管结构，其中发光二极管结构中的每个发光二极管结构是可操作的以发射表征为不同峰值发射波长的光。该结构亦可包括图案化光吸收屏障，其特征在于屏障中的一组开口，其中开口中的每个开口允许来自发光二极管结构中的一个发光二极管结构的光的一部分透过屏障。该结构可进一步包括超表面层，该超表面层是可操作的以改变从发光二极管结构穿过图案化光吸收屏障的开口而传输的至少一些的光的方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116438941A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202080105363.5
申请日：2020-09-21
Inventor： 陈重嘉 , 林宛瑜 , 房贤圣 , 徐立松 , 余钢 , 郭炳成 , 罗伯特·简·维瑟 , 吴忠帜 , 林晃岩 , 苏国栋 , 李伟恺 , 陈奕均 , 徐鼎盛 , 廖柏翔 , 林韦成
IPC: H10K50/85 , H10K50/858 , H10K59/12 , H10K59/122
Abstract: 本揭示案的实施方式大体涉及电致发光装置(例如，有机发光二极管)和包含电致发光装置的显示器。在一实施方式中，提供了一种电致发光装置，包含：像素限定层；有机发光单元，所述有机发光单元设置于所述像素限定层的至少一部分上；及填充层，所述填充层设置于所述有机发光单元的至少一部分上，其中所述像素限定层的折射率小于所述填充层的折射率，且其中所述像素限定层的折射率小于所述有机发光单元的一个或更多个层的折射率。在另一实施方式中，提供了一种显示装置，包含：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述基板上；互连，所述互连电性耦接至所述薄膜晶体管；及电致发光装置，所述电致发光装置电性耦接至所述互连。
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公开(公告)号：CN114892129A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210571610.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN114868271A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080090385.9
申请日：2020-11-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)结构，包括：基板；位于基板上的具有阱结构阵列的介电层，其中每个阱结构包括具有侧壁和底部的凹部，并且所述凹部由具有倒圆的顶表面的平台隔开；OLED层堆叠，所述OLED层堆叠至少覆盖阱的底部；以及光提取层(LEL)，所述LEL在OLED层堆叠上方的阱中。
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公开(公告)号：CN116261923A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202080104661.2
申请日：2020-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/856 , H10K50/805
Abstract: 本文描述的多个实施方式是关于用于顶部发射有机发光二极管(OLED)显示像素的分级斜面底部反射电极层。EL装置包括：像素定义层，具有顶表面、底表面、和互连顶表面与底表面的分级侧壁；和底部反射电极层，在像素定义层之上设置。底部反射电极层包括在底表面之上设置的平面电极部分和在分级侧壁之上设置的分级反射部分，其中分级反射部分具有非线性轮廓。EL装置包括在底部反射电极层之上设置的有机层和在有机层之上设置的顶部电极。本文亦描述了用于制造EL装置的方法。
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公开(公告)号：CN108700788B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780014750.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。
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