公开(公告)号：CN108700788B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201780014750.6

申请日：2017-01-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张雪娜 ,  任东吉 ,  戴文清 ,  尤哈维 ,  元泰景 ,  杨潇林 ,  林宛瑜 ,  蔡云初

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。

公开(公告)号：CN110785829A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880037238.8

申请日：2018-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 翟宇佳 ,  戴文清 ,  赵来 ,  芮祥新 ,  尹东基 ,  元泰景 ,  崔寿永

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及用于从基板处理腔室的一或多个内表面原位去除不需要的沉积累积物的方法和装置。在一实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的含ZrO2膜的处理腔室中，所述残余的含ZrO2膜形成在处理腔室的一或多个内表面上。反应物种由BCl3形成，并且一或多个内表面包括至少一个暴露的Al2O3表面。所述方法进一步包含使残余的含ZrO2膜与反应性物种反应以形成挥发性产物。所述方法进一步包含从处理腔室去除挥发性产物，其中残余的含ZrO2膜的去除速率大于Al2O3的去除速率。

公开(公告)号：CN108700788A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014750.6

申请日：2017-01-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张雪娜 ,  任东吉 ,  戴文清 ,  尤哈维 ,  元泰景 ,  杨潇林 ,  林宛瑜 ,  蔡云初

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2227/323

Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。