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发明公开
使用反应性气体前驱物从处理腔室选择性原位清洁高介电常数膜无效

公开(公告)号：CN110785829A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880037238.8

申请日：2018-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 翟宇佳 , 戴文清 , 赵来 , 芮祥新 , 尹东基 , 元泰景 , 崔寿永

IPC: H01L21/02 , H01L21/67

Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及用于从基板处理腔室的一或多个内表面原位去除不需要的沉积累积物的方法和装置。在一实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的含ZrO2膜的处理腔室中，所述残余的含ZrO2膜形成在处理腔室的一或多个内表面上。反应物种由BCl3形成，并且一或多个内表面包括至少一个暴露的Al2O3表面。所述方法进一步包含使残余的含ZrO2膜与反应性物种反应以形成挥发性产物。所述方法进一步包含从处理腔室去除挥发性产物，其中残余的含ZrO2膜的去除速率大于Al2O3的去除速率。

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