公开(公告)号：CN114892129A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210571610.1

申请日：2015-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·塞韦林 ,  马库斯·哈尼卡 ,  亚瑟·D·舒 ,  蔡皮皮 ,  金庆奉 ,  林宛瑜

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。

公开(公告)号：CN107567508A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201580078939.2

申请日：2015-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 丹尼尔·塞韦林 ,  马库斯·哈尼卡 ,  亚瑟·D·舒 ,  蔡皮皮 ,  金庆奉 ,  林宛瑜

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。