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公开(公告)号：CN109728011A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811139872.0
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种背照式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方。所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度。
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公开(公告)号：CN109728008A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810684932.0
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种背面照光式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其安置于所述衬底中；隔离结构，其包围所述像素传感器且安置于所述衬底中；介电层，其安置于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方；及多个导电结构，其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。
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公开(公告)号：CN109560093A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810763436.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体图像传感器。本发明实施例揭露一种背照式BSI图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；及多个像素传感器，其布置成阵列。所述像素传感器中的每一个包括：感光装置，其位于所述衬底中；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述感光装置上方；及光学结构，其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。所述光学结构包括第一侧壁，且所述第一侧壁及大体上与所述衬底的前表面平行的平面形成大于0°的夹角。
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公开(公告)号：CN107293560A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710063231.0
申请日：2017-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , G03B13/36 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H04N5/3696 , H04N5/374 , H04N5/37457 , H01L27/14605 , H01L27/14643
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有自动聚焦功能的图像传感器和相关方法。在一些实施例中，图像传感器具有彼此相邻地成行设置的第一和第二图像传感像素。第一和第二图像传感像素的每个分别具有左PD(相位检测)像素和右PD(相位检测)像素，左PD像素包括可操作地连接到左传输门的左光电二极管，右PD像素包括可操作地连接到右传输门的右光电二极管。第二图像传感像素的右传输门是第一图像传感像素的左传输门沿着第一和第二图像传感像素之间的边界线的镜像。第二图像传感像素的左传输门是第一图像传感像素的右传输门沿着边界线的镜像。本发明实施例涉及全PDAF(相位检测自动聚焦)CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN105990384A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510759939.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/146 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低-n栅格由低-n栅格部分组成，低-n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低-n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低-n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN103456789B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210514958.3
申请日：2012-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463
Abstract: 一种器件包括半导体衬底，位于半导体衬底中的阱区和金属氧化物半导体(MOS)器件。MOS器件包括与阱区重叠的栅极电介质、位于栅极电介质上方的栅电极和位于所述阱区中的源极/漏极区域。源极/漏极区域和阱区具有相反的导电类型。远离栅电极的第一源极漏极区域的边缘接触阱区以形成结绝缘。本发明还提供了一种用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺。
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公开(公告)号：CN102237382B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010529469.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/324 , H01L21/823878 , H01L22/34 , H01L27/14689 , H01L29/7842
Abstract: 本发明提供了有源像素单元结构及其制造方法，以利于降低有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量。在形成有源像素单元结构的工艺中基板上产生了应力，而此应力导致了有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量的增加。通过沉积具有反抵于上述产生的应力的一应力层以作为前金属介面层的一部分，可降低了上述的暗态漏电流与白单元数量。当有源像素单元内的晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管时，可通过一拉伸应力层而增加了其载流子迁移率。在沉积上述应力层之前，可使用拉曼光谱以测量施加于基板上的应力。本发明可降低有源像素单元的暗态漏电流与白单元数量。
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公开(公告)号：CN100428499C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510095806.4
申请日：2005-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14672
Abstract: 本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
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公开(公告)号：CN101252139A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710140998.5
申请日：2007-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像感应元件包括：半导体基底，其具有正面与背面；多个像素形成于该半导体基底的正面上；以及多个栅格阵列与该多个像素中的至少一个像素对齐。该多个栅格阵列中的一个允许光线的一个波长穿过至该多个像素中相对应的一个。该多个栅格阵列于该半导体基底的正面或背面上。本发明的图像感应元件具有与半导体工艺相容以及具成本效益的彩色滤光片。
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公开(公告)号：CN1607674A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410078352.5
申请日：2004-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L31/02161
Abstract: 本发明提供一种高量子效率的影像传感器的制造方法，其是于利用无边界接触窗制程与互补式金氧半晶体管制程结合的制程进行影像传感器的制造时，于进行自动对准金属硅化物制程之后，且于形成氮化硅或氮氧化硅停止层之前，进行一道微影蚀刻制程，此微影蚀刻制程是用于移除感光区的浅沟槽隔离结构，使感光二极管上方的迭层结构的折射系数由上而下依序递增。此外，本发明并提供一种高量子效率的影像传感器的结构。
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