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公开(公告)号：CN114975715A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210620906.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及制备方法，在该mini‑LED芯片中，复合透明导电层中的欧姆接触层降低了复合透明导电层的欧姆接触电阻，提升了与P型层的欧姆接触，第一透明导电层提升了电子浓度与电流扩展能力，第二透明导电层提升了导电膜穿透率，两个透明导电层进一步提升了电流传导能力以及抗ESD能力，纳米层提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，该复合透明导电层提升了芯片的散热能力，降低了热效应的产生；此外增粘截止层提升了复合DBR反射层与复合透明导电层的粘附性、水汽隔绝层提升了防水汽侵蚀能力，并且采用间歇式离子镀膜，降低了复合DBR反射层的膜层应力，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114927417A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210690408.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L33/00 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法，通过在所述待刻蚀结构的表面依次形成聚合物层、负性光刻胶，通过曝光、显影形成倒梯形台面的掩膜板，即光刻胶的图形呈上宽下窄，再通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使光刻胶的图形呈上窄下宽后，再结合所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1的设置，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成倾斜度较小的预设图形。
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公开(公告)号：CN113363358B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110601827.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。以及通过设置电流阻挡层能够实现LED芯片更好的电流阻挡效果，进而保证LED芯片的性能优良。
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公开(公告)号：CN112652686B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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公开(公告)号：CN104332537B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410551529.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。本发明可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241480B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410457188.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管制作方法，包括以下步骤：一，提供外延发光结构，在外延发光结构上生长外延保护层；二，采用微波化学气相沉积法，在低温的条件下，在外延保护层表面沉积金刚石薄膜，形成高热导介质层；三，采用化学气相沉积法，在低温的条件下，沉积碳化钛在金刚石薄膜表面，形成过渡层；四，在过渡层表面形成金属反射镜，金属反射镜通过导电通道与外延发光结构连接导通；五，在金属反射镜表面键合具有导电功能的基板；六，在外延发光结构上形成第一电极，在基板上形成第二电极。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104167479B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410391547.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极；不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。本发明可以减少有源层在出光界面上出现全反射，增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104241205B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410477241.5
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L33/22 , H01L31/0352 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种衬底可剥离的外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本发明还公开一种具有衬底可剥离的太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离的发光二极管外延结构。本发明可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN104218108B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410477195.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本发明转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN104201277B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410457030.5
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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