-
公开(公告)号：CN114326923A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210127057.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振旋转分束器实现的光学矩阵向量乘法器，包括由半导体激光器阵列组成的多波长光源模块、由调制器阵列组成的电光转换模块、基于可重构的偏振旋转分束器阵列的信号加权模块以及由平衡探测器和跨阻放大器组成的信号累加模块。本发明采用相变材料与超表面结构结合的方式实现了可重构的偏振旋转分束器，可重构的偏振旋转分束器能够分离TE偏振模光信号和TM偏振模光信号，并通过添加偏压作为外部激励，能够改变偏振旋转分束器的相变波导表面的结晶态，从而改变TE偏振模光信号和TM偏振模光信号的比例，根据比例不同的偏振模的功率组分之差来表示权重值，可以实现权重态的精确调控，解决权重的正负态表达问题。
-
公开(公告)号：CN109461817B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811104242.X
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。
-
公开(公告)号：CN104090447B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410331789.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路连接；一光输出端，其与输出光路连接。本发明提供的无源光限幅器，具有结构简单，成本低，反应速度快，性能稳定的优点。
-
公开(公告)号：CN101458402A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710179413.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避免了正向注入时载流子的缓慢扩散对调制器响应速度的限制。而且本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器没有刻蚀过程，其波导包层是通过CMOS工艺中的浅沟隔离层来完成。该调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作完成，无需更改标准CMOS工艺流程，可在SOI衬底标准CMOS工艺线上流片完成。
-
公开(公告)号：CN101034185A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610058659.8
申请日：2006-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120008746A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202311516765.6
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本公开提供了一种微测辐射热计结构，从下至上依次包括：衬底(1)、多面体结构层(2)、二氧化硅气凝胶层(3)、反射层(4)、保护层(5)、热敏感层(6)、电极(7)及光吸收层(8)；其中，多面体结构层(2)由多个多面体结构阵列式排列组成，刻蚀形成于衬底(1)上；二氧化硅气凝胶层(3)沉积于多面体结构层(2)以及衬底(1)的上表面，二氧化硅气凝胶层(3)的高度大于多面体结构层(2)的高度；热敏感层(6)沉积于保护层(5)的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于保护层(5)的面积；电极(7)沉积于保护层(5)、热敏感层(6)及光吸收层(8)之间。
-
公开(公告)号：CN118943208A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310517673.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0336 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供了一种量子点‑石墨烯探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在该金属底电极上溅射氧化镍层；在该氧化镍层转移单层石墨烯层；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行该石墨烯层的图形化，使该石墨烯层覆盖部分该氧化镍层的表面以及该氧化硅衬底的另一边的表面；在该石墨烯层通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在该预备探测器的上表面旋涂量子点膜。可以抑制石墨烯暗电流。
-
公开(公告)号：CN117810287A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311861694.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/103 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片。红外探测器包括：依次叠加的衬底，第一红外量子点层，第一介质层和第二红外量子点层；第一电极和第二电极；其中，第一电极与第二电极设置于第一红外量子点层的同一侧或相对侧，且第一电极与衬底相接触；第一红外量子点层内设置有第一量子点，第二红外量子点层内设置有第二量子点；第一量子点与第二量子点均用于吸收红外光；以及第一量子点的尺寸大于第二量子点的尺寸。本公开的红外探测器结构简单小巧，易于大规模集成，可以用于制作光谱芯片和多色成像芯片。
-
公开(公告)号：CN117615632A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311206321.2
申请日：2023-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有隔热层的红外热辐射探测器及其制备方法，该具有隔热层的红外热辐射探测器包括：硅基氧化硅衬底；纳米金颗粒层，纳米金颗粒层采用聚甲基丙烯酸甲酯粘附在硅基氧化硅衬底上；隔热层，采用二氧化硅气凝胶制成，隔热层形成在纳米金颗粒层上；依次形成在隔热层上的反射层、保护层、热敏探测层、金属电极；其中，纳米金颗粒层适用于将隔热层粘附在硅基氧化硅衬底上，并且纳米金颗粒层适用于释放沉积隔热层时产生的应力，以避免出现隔热层薄膜翘曲、皴裂等导致的薄膜不均匀、变形甚至脱落，提高隔热层二氧化硅气凝胶薄膜的成膜质量，进而能够提高红外热辐射探测器的稳定性和探测效率。
-
公开(公告)号：CN113793881B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111089808.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0216 , G06N3/067
Abstract: 本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
66
records
(took 0.026 seconds)
