公开(公告)号：CN101458402B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710179413.0

申请日：2007-12-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  黄北举 ,  董赞

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避免了正向注入时载流子的缓慢扩散对调制器响应速度的限制。而且本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器没有刻蚀过程，其波导包层是通过CMOS工艺中的浅沟隔离层来完成。该调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作完成，无需更改标准CMOS工艺流程，可在SOI衬底标准CMOS工艺线上流片完成。

公开(公告)号：CN101867412A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910081993.9

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  朱琳 ,  陈雄斌 ,  裴为华 ,  刘博 ,  杨宇 ,  董赞 ,  关宁

IPC: H04B10/10

Abstract: 本发明公开了一种利用半导体照明进行通信的系统，该系统包括传送光信号的传送设备(1)和接收光信号的接收设备(2)，传送设备(1)将待传送的数据转变成光信号进行传送，接收设备(2)将接收自传送设备(1)的光信号转换成电信号，并进行显示。本发明同时公开了一种利用半导体照明进行通信的方法。利用本发明，通过调制白光LED在照明的同时实现较高速率的通信，满足了传送文本、图片、音视频和一些控制信号(如对打印机、空调、电冰箱等)的需求。

公开(公告)号：CN101458402A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710179413.0

申请日：2007-12-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  黄北举 ,  董赞

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避免了正向注入时载流子的缓慢扩散对调制器响应速度的限制。而且本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器没有刻蚀过程，其波导包层是通过CMOS工艺中的浅沟隔离层来完成。该调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作完成，无需更改标准CMOS工艺流程，可在SOI衬底标准CMOS工艺线上流片完成。