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公开(公告)号：CN109461817A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811104242.X
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。
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公开(公告)号：CN109461817B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811104242.X
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。
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