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公开(公告)号：CN113948971A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111230348.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种量子级联激光器，包括N个单路量子级联激光器、金反射镜和N‑1个中红外波长合束片；单路量子级联激光器，用于发射激光，且每个单路量子级联激光器发射的激光的波长范围不同；金反射镜，用于将来自对应单路量子级联激光器发射的激光进行反射，得到反射激光；中红外波长合束片，用于透射第一激光，反射第二激光，并将第一激光和第二激光合束成同轴光，第一激光包括反射激光或前一中红外波长合束片合束的同轴光，第二激光包括来自对应单路量子级联激光器发射的激光。本发明还提供了一种物质检测装置及其检测方法，可以精准的探测各种物质。
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公开(公告)号：CN112072457A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010976708.6
申请日：2020-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构，该中红外量子级联激光器包括衬底；有源波导结构，其设置在衬底上，包括第一接触层，其设置在衬底上；第一波导层，其设置在第一接触层上；有源区层单元，其设置在第一波导层上；第二波导层，其设置在有源区层上；以及第二接触层，其设置在第二波导层上；电隔离层，设置在有源波导结构两侧；第一电极层，与第一接触层接触且均设置在衬底上；以及第二电极层，覆盖在电隔离层和第二接触层上。本发明在保证激光器室温连续工作下发射双波长的同时仅转动闪耀光栅角度就可以实现宽调谐。
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公开(公告)号：CN109950303A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910187930.5
申请日：2019-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。
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公开(公告)号：CN106252421B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610893732.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种高速量子级联红外探测器的制作方法，其中所述高速量子级联红外探测器，包括：一衬底，该衬底为矩形，其一端向下为一斜面；一CPW地电极层，其制作在衬底上，该CPW地电极层开有一喇叭形的开口；一CPW信号电极层，其制作在衬底上面，并位于CPW地电极层上的喇叭形开口的中间，该CPW信号电极层为锥形；一下接触电极层，其制作在CPW地电极层上的喇叭形开口的端部，与衬底和CPW地电极层接触；一周期性量子阱垒层，其制作在下接触电极层上面的中间；一上接触电极层，其制作在周期性量子阱垒层上；一空气桥连接结构，其一端连接CPW信号电极层，另一端连接上接触电极层。
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公开(公告)号：CN118448499A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410578747.9
申请日：2024-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种甚长波量子级联探测器，包括：沿着第一方向依次堆叠的衬底、第一接触层、周期单元功能层和第二接触层；其中，所述周期单元功能层包括L个周期单元，L为大于2的整数，每一个所述周期单元包括：沿着所述第一方向依次堆叠的吸收区和弛豫区；所述吸收区包括沿着所述第一方向堆叠的一个第一势垒层和两个第一量子阱，所述一个第一势垒层位于所述两个第一量子阱之间；所述弛豫区包括沿着所述第一方向堆叠的M个第二势垒层和M‑1个第二量子阱，所述M‑1个量子阱交替位于所述M个第二势垒层之间，M为大于2的整数，且所述M个第二势垒层中任一势垒层的能量均高于所述第一势垒层。本发明能有效降低暗电流噪声，提升器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118137294B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410557719.9
申请日：2024-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括：衬底；位于衬底上的N个激光器阵列单元，其中，N为大于等于3的正整数，至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置；以及导热部，其中，导热部的至少一部分位于至少两个相邻的激光器阵列单元之间的间隙中。通过导热部的设置，解决了增加有源区面积造成的散热困难问题，成倍提高了激光器的输出功率。本发明的实施例还提供了一种带间级联激光器阵列芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN113984710B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202111258893.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/39
Abstract: 本公开提供了一种危险材料检测装置及其检测方法，该检测装置包括：红外激光光源(1)，用于输出红外激光扫描待测物，以获取扫描待测物的目标信号和未扫描待测物的参考信号；同步模块(2)，用于同步目标信号和参考信号的相位；处理模块(3)，与同步模块(2)连接，用于比较相位同步的参考信号和目标信号，确定待测物上是否有危险材料。本公开中提供的危险材料检测装置通过输出红外激光对待测物进行扫描，获取目标信号和参考信号，以及保证采集的目标信号和参考信号同步，避免在进行数据降噪时，由于不同步导致的数据错位和累计误差，提高了检测速度以及检测准确度。
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公开(公告)号：CN118137294A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410557719.9
申请日：2024-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括：衬底；位于衬底上的N个激光器阵列单元，其中，N为大于等于3的正整数，至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置；以及导热部，其中，导热部的至少一部分位于至少两个相邻的激光器阵列单元之间的间隙中。通过导热部的设置，解决了增加有源区面积造成的散热困难问题，成倍提高了激光器的输出功率。本发明的实施例还提供了一种带间级联激光器阵列芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN117070216A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311020829.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括：具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上，量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合，量子点核壳层由第一金属和砷组成，第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上，超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用，使得超晶格量子点能够形成核壳结构，并且通过超晶格外延层的叠层结构，控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
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公开(公告)号：CN116780319A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310777042.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器与光纤耦合器件，包括：有源层，为多层量子阱结构，包括光栅区域和光放大区域，所述光栅区域设置在所述有源层一端，包括在所述有源层表面设置的分布式反馈光栅，所述光放大区域设置在所述有源层另一端，并与所述光栅区域相邻；无源层，所述无源层一端与所述有源层的光放大区域端面对接，另一端与光纤直接耦合。依靠无源波导两端分别与有源区和光纤的对接和粘接，实现低损耗高耦合效率的光耦合，光纤与无源波导的粘接不会影响有源区的工作状态，且无任何外接光学元件的激光器光纤直接耦合，满足了目前对激光器光纤集成器件小型化和稳定性的要求。
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