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公开(公告)号：CN107069432A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710472687.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S1/02 , H01S5/34306
Abstract: 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
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公开(公告)号：CN104267503B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410520059.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
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公开(公告)号：CN106252421A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610893732.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/1844
Abstract: 一种高速量子级联红外探测器的制作方法，其中所述高速量子级联红外探测器，包括：一衬底，该衬底为矩形，其一端向下为一斜面；一CPW地电极层，其制作在衬底上，该CPW地电极层开有一喇叭形的开口；一CPW信号电极层，其制作在衬底上面，并位于CPW地电极层上的喇叭形开口的中间，该CPW信号电极层为锥形；一下接触电极层，其制作在CPW地电极层上的喇叭形开口的端部，与衬底和CPW地电极层接触；一周期性量子阱垒层，其制作在下接触电极层上面的中间；一上接触电极层，其制作在周期性量子阱垒层上；一空气桥连接结构，其一端连接CPW信号电极层，另一端连接上接触电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107069432B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710472687.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
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公开(公告)号：CN106252421B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610893732.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种高速量子级联红外探测器的制作方法，其中所述高速量子级联红外探测器，包括：一衬底，该衬底为矩形，其一端向下为一斜面；一CPW地电极层，其制作在衬底上，该CPW地电极层开有一喇叭形的开口；一CPW信号电极层，其制作在衬底上面，并位于CPW地电极层上的喇叭形开口的中间，该CPW信号电极层为锥形；一下接触电极层，其制作在CPW地电极层上的喇叭形开口的端部，与衬底和CPW地电极层接触；一周期性量子阱垒层，其制作在下接触电极层上面的中间；一上接触电极层，其制作在周期性量子阱垒层上；一空气桥连接结构，其一端连接CPW信号电极层，另一端连接上接触电极层。
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公开(公告)号：CN104267503A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410520059.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/0916
Abstract: 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
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公开(公告)号：CN106848839A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710063310.1
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3401 , H01S5/4012
Abstract: 本发明提供了一种量子级联激光器，该量子级联激光器包括：阶梯热沉，其壁面上开有若干个阶梯平面；单管量子级联激光器，固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上；非球面透镜，固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上，位于单管量子级联激光器的前端；以及反射镜，其固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上，位于非球面透镜的前端。本发明解决了量子级联激光器散热问题，并且利用外腔光谱合束的形式保证光束质量，从而提供了切实可行的高效量子级联激光器合束方法。
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公开(公告)号：CN105843274A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610182808.5
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G05D23/19 , G05D23/20 , H01S5/02 , H01S5/02415
Abstract: 一种基于热电致冷器的温控电路，包括：温度采集模块，用于检测待检测区的温度并输出温度信号；控制器，用于根据所述温度采集模块输入的温度信号，对所述热电致冷器进行控制；以及热电致冷器，用于制冷。以及一种采用其的量子级联激光器。本发明温控电路的温度控制精度小于等于0.1℃，配合小型风冷装置，可以代替传统水冷系统，实现量子级联激光器在室温工作状态下稳定的温度控制，大大减少冷却系统体积，同时无机械振动，有利于系统稳定工作；此外，该温控电路体积小，安装方便，使用寿命长，操作简单，无噪声，特别适合于便携式激光器系统的温度控制。
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