-
公开(公告)号：CN106451074B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610930814.4
申请日：2016-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。
-
公开(公告)号：CN107069432A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710472687.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S1/02 , H01S5/34306
Abstract: 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
-
公开(公告)号：CN106451074A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610930814.4
申请日：2016-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/323 , H01S5/223 , H01S5/4018
Abstract: 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；
-
公开(公告)号：CN107069432B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710472687.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
-
公开(公告)号：CN104267503A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410520059.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/0916
Abstract: 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106848839A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710063310.1
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3401 , H01S5/4012
Abstract: 本发明提供了一种量子级联激光器，该量子级联激光器包括：阶梯热沉，其壁面上开有若干个阶梯平面；单管量子级联激光器，固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上；非球面透镜，固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上，位于单管量子级联激光器的前端；以及反射镜，其固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上，位于非球面透镜的前端。本发明解决了量子级联激光器散热问题，并且利用外腔光谱合束的形式保证光束质量，从而提供了切实可行的高效量子级联激光器合束方法。
-
公开(公告)号：CN106300009A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610946545.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/141 , G02B26/106
Abstract: 本发明公开了一种用于激光光谱学研究应用的波长扫描外腔半导体激光器。所述激光器包括：增益芯片、输出端准直透镜、反馈端准直透镜、扫描振镜、闪耀光栅、驱动及控制电路。由驱动及控制电路激励增益芯片发光，增益芯片反馈端发射光经反馈端准直透镜准直后，再由扫描振镜反射后，以一定的入射角照射到闪耀光栅上，闪耀光栅将特定波长的光反馈，按原光路返回增益芯片，从而形成谐振，产生激光，经输出端准直透镜准直后输出；扫描振镜在一定角度范围内来回转动，则照射到闪耀光栅的光的入射角在一定范围内来回扫描，反馈波长随之扫描，从而使输出激光波长在一定范围内扫描。
-
公开(公告)号：CN105843274A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610182808.5
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G05D23/19 , G05D23/20 , H01S5/02 , H01S5/02415
Abstract: 一种基于热电致冷器的温控电路，包括：温度采集模块，用于检测待检测区的温度并输出温度信号；控制器，用于根据所述温度采集模块输入的温度信号，对所述热电致冷器进行控制；以及热电致冷器，用于制冷。以及一种采用其的量子级联激光器。本发明温控电路的温度控制精度小于等于0.1℃，配合小型风冷装置，可以代替传统水冷系统，实现量子级联激光器在室温工作状态下稳定的温度控制，大大减少冷却系统体积，同时无机械振动，有利于系统稳定工作；此外，该温控电路体积小，安装方便，使用寿命长，操作简单，无噪声，特别适合于便携式激光器系统的温度控制。
-
公开(公告)号：CN106025797B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610563190.7
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
Abstract: 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。
-
公开(公告)号：CN106025797A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610563190.7
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/2234
Abstract: 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.03 seconds)
