发明授权
- 专利标题： 二维光子准晶宽区半导体激光器结构
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申请号： CN201610563190.7申请日： 2016-07-18
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公开(公告)号： CN106025797B公开(公告)日： 2019-05-17
- 发明人: 贾志伟 , 王利军 , 张锦川 , 刘峰奇 , 刘俊岐 , 王占国
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汤保平
- 主分类号： H01S5/223
- IPC分类号： H01S5/223
摘要：
本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。
公开/授权文献
- CN106025797A 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 公开/授权日：2016-10-12
