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公开(公告)号：CN109412018A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811514761.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射量子级联激光器，包括：量子点有源区层，在激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层；分布布拉格反射镜层和光栅层，分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔，实现面发射。本发明通过在一个有源区层中适当位置引入量子点插层，量子点态作为电子辐射跃迁的末态，使器件的辐射模式有垂直于量子阱平面的电场分量，能够制成传统的垂直腔面发射激光器。一方面，能够提高器件的功率、转化效率，降低阈值电流；另一方面，能够显著降低器件的尺寸，减小阈值电流。
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公开(公告)号：CN109616558A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811423181.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种InAsSb量子点发光材料的制备方法，包括：准备带有偏角的衬底；在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长下限制层；在下限制层上生长一个或多个InAsSb量子点有源区；在InAsSb量子点有源区上生长上限制层，缓解现有技术中的由于Sb的表面活性剂效应易形成量子短线而导致的InAsSb量子点发光质量差的技术问题，达到了改善InAsSb量子点发光质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN106451074B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610930814.4
申请日：2016-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。
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公开(公告)号：CN106451074A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610930814.4
申请日：2016-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/323 , H01S5/223 , H01S5/4018
Abstract: 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；
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公开(公告)号：CN109671823A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811500893.0
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括：掺杂锑源的量子点有源区结构，该量子点有源区结构包括：自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层；进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有源区结构和上限制层。利用本发明，在合适的生长条件下掺入锑原子能够与InAs量子点结合，形成InAsSb三元合金，有效收缩能带带隙，扩展InP基量子点材料的发光波长，这一方法对InP基长波长量子点发光及探测器件的制备具有重要的意义。
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