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公开(公告)号：CN112708935B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202011543426.3
申请日：2020-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法，属于半导体磷化物的制备技术领域，基于半导体磷化物注入合成系统来实现，所述半导体磷化物注入合成系统包括炉体、设置在炉体上方的屏蔽承载箱、设置在屏蔽承载箱内的磷源承载器、设置在磷源承载器下方的注入管以及配套设置在炉体内底部的坩埚，在磷源承载器和屏蔽承载箱内壁之间设置感应线圈，所述坩埚外壁环绕设置主电阻加热器，所述磷源承载器上端面设置测压系统。通过对方法本身进行改进，可提高的稳定性，可使得整个合成系统进行定量合成，降低了磷源承载器爆炸的危险。
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公开(公告)号：CN113502546A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110760633.2
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的方法。方法包括A、加热坩埚，使坩埚内的金属和覆盖物氧化硼融化；B、将红磷浸入坩埚；C、在坩埚外围施加静磁场，调节温度梯度，开始合成；D、合成完毕后，进行晶体生长。采用本发明提供的方法，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率，同时抑制温度梯度方向的熔体对流，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN110760932A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911155615.0
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法，属于半导体技术领域，包括制备铟磷混合球、装料、保持高炉压和铟磷混合球低温、熔化覆盖剂、投料、合成与晶体生长步骤，是利用配比好的铟磷混合球直接熔化进行合成。将铟粉和磷粉混和均匀并压制成球状铟磷混合颗粒，再将铟磷混合球与氧化硼粉的混合物投入到具有氧化硼覆盖剂的熔体中，合成后原位进行晶体生长。该方法具有反应时间短、效率高、节省原材料的优点，并且可有效降低材料被沾污的风险，节省工序，降低材料制备成本。
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公开(公告)号：CN114252701B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111493657.2
申请日：2021-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R27/06
摘要： 本发明适用于通信设备技术领域，提供了一种微波器件驻波比测量方法及测量终端，上述方法包括：应用于驻波比检测设备；上述设备包括：信号源、定向耦合器及信号检测仪；定向耦合器的输入端与信号源连接，定向耦合器的输出端用于与待测件、全匹配标准件或全反射标准件连接，定向耦合器的耦合端与信号检测仪连接；上述方法包括：分别获取定向耦合器的输出端连接全匹配标准件、全反射标准件及待测件时的电压幅值，根据上述三个电压幅值确定待测件的驻波比。本发明采用全匹配标准件和全反射标准件对检测设备进行校准，进而计算得到待测件的驻波比，无需使用网络分析仪或测量线，大大降低了测量成本。
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公开(公告)号：CN115198369B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829113.7
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，首先将铟元素置于坩埚中，将磷元素置于辅助坩埚区域中心，然后加热并施加离心力，在离心力作用下，铟熔体围绕主坩埚区域形成筒状，铟元素与磷元素处于表面接触的分离状态。通过多温区加热，将铟与磷加热至不同的温度，易挥发元素磷升华后与金属元素铟化合。合成完毕后降低坩埚转速，合成熔体处于水平状态，置入氧化硼实现晶体生长。使用本发明提出的装置和方法，磷元素的注入装置没有加热器，简化了合成设备；合成期间，铟溶体与磷气体的接触面积大，合成速度快；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN115198347B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN116180208A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210938176.6
申请日：2022-08-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T0，800℃
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公开(公告)号：CN115198370B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210829230.3
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置；合成完毕后，控制垂直温度梯度，完成单晶生长。在离心力的作用下，密度较重的铟原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的磷原子会向坩埚中心运动，合成速率较快，加速整体合成过程，同时减少熔体污染。
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公开(公告)号：CN115574956A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211067141.6
申请日：2022-09-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了热反射温度计算方法、系统、装置及终端设备，该方法包括：获取被测器件在未加电的情况下的参考温度、彩色相机参考图像和在待测温度下的彩色相机测量图像，以及第一预设温度下彩色相机第一图像和第二预设温度下彩色相机第二图像；对彩色相机参考图像、彩色相机测量图像、彩色相机第一图像和彩色相机第二图像进行向量化处理，得到参考向量、测量向量、第一向量和第二向量；基于第一预设温度、第二预设温度、参考温度、第一向量、第二向量、参考向量和测量向量，得到待测温度。本申请可以对不同材料同时进行测温。
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公开(公告)号：CN115558984A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211148102.9
申请日：2022-09-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法，属于半导体材料的制备领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、将籽晶和多晶分离设置；步骤2、加热籽晶和多晶远端的端面，端面温度小于半导体的熔点；步骤3、加热籽晶端面是籽晶部分融化，在籽晶端面中心形成初始熔区；步骤4、在垂直于晶籽的方向施加交变磁场；步骤5、在初始熔区区域施加约束磁场；步骤6、多晶与籽晶接触；步骤7、控制远端面温度，多晶持续融化，熔池向多晶方向移动，单晶向多晶方向生长，实现半导体单晶的制备。本发明提出的方法，无需坩埚、生长界面稳定且不受半导体晶体的尺寸的影响，本发明还适用于氧化镓等熔点高且易于与坩埚反应的晶体制备。
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