公开(公告)号：CN101689490B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101689490A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101668878A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013920.X

申请日：2008-04-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  若林哲 ,  善光哲

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/08 ,  C23C16/509 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种Ti膜的成膜方法，其包括下述步骤：将具有Si部分的被处理基板配置在载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl 4 气体和还原气体的处理气体；通过利用高频电场形成单元形成高频电场使处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使TiCl 4 气体和还原气体发生反应，当通过该反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以抑制在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应。

公开(公告)号：CN101451234A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810185711.5

申请日：2008-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。

公开(公告)号：CN100474517C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580000473.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  成嶋健索 ,  若林哲

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。

公开(公告)号：CN101107379A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002702.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  若林哲

IPC: C23C8/36 ,  C23C8/24 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  C23C14/00 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供一种气体处理方法，使用气体处理装置，利用含有NH3气体和H2气体的气体对被处理体(W)进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在腔室内的喷淋头；向腔室内供给含有NH3气体和H2气体的气体的气体供给单元，腔室的覆盖层和喷淋头含有镍(Ni)。通过控制H2/NH3流量比和温度，抑制腔室的覆盖层和喷淋头中含有的镍的反应。