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公开(公告)号：CN110521288B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880023474.4
申请日：2018-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K1/02 , H01R12/72 , H01R13/652 , H05K5/00
Abstract: 根据示例性实施例的电子设备包括：基板；以及连接器，包括设置在基板的第一区域上的多个端子，其中基板包括：第一层，包括连接到多个端子的信号线和设置在信号线之间的介电材料；第二层，设置在第一层上，并且包括与连接器电连接的第一接地和与第一接地物理隔离的第二接地；第三导电层，设置在第二层上，并与第二接地电连接；以及第四层，其具有设置在对应于第二层和第三导电层之间的第一区域的区域上的非导电材料。
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公开(公告)号：CN107887361B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710244624.1
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供一种扇出型半导体封装件。半导体芯片设置在第一连接构件的通孔中。半导体芯片的至少一部分被包封剂包封。包括重新分布层的第二连接构件形成在半导体芯片的有效表面上。具有优良的可靠性的外部连接端子形成在包封剂中。
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公开(公告)号：CN111162084A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910851403.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/10
Abstract: 一种垂直型存储器件包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极。垂直沟道结构包括：沿第一方向延伸的沟道；第一填充膜，部分地填充沟道的内部空间；第一衬层，在第一填充膜的上表面的至少一部分上并且在沟道的远离衬底延伸超过第一填充膜的上部内侧壁。第一衬层包括n型杂质。垂直沟道结构包括在第一衬层的至少一部分上的第二填充膜和在第二填充膜上并与第一衬层接触的焊盘。
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公开(公告)号：CN110752133A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910639176.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/02 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
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公开(公告)号：CN110718552A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910211674.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 本发明公开了包括具有局部扩大的沟道孔的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的下堆叠结构、在下堆叠结构上的上堆叠结构以及在穿过上堆叠结构和下堆叠结构形成的沟道孔中的沟道结构。沟道孔包括在下堆叠结构中的下沟道孔、在上堆叠结构中的上沟道孔、以及与下堆叠结构和上堆叠结构之间的界面相邻的局部延伸部分。局部延伸部分与下沟道孔和上沟道孔流体连通。局部延伸部分的横向宽度可以大于与局部延伸部分相邻的上沟道孔的横向宽度，并大于与局部延伸部分相邻的上沟道孔的横向宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107872702A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710887972.0
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/422 , H04N21/4363
Abstract: 提供一种用于控制外围设备的显示装置及其方法。所述方法可以包括：向遥控器发送开启外围设备的第一开启信号；测量显示装置向遥控器发送第一开启信号的第一时间与显示装置响应于第一开启信号开始从外围设备接收到内容的第二时间之间的时间间隔；以及将测量的时间间隔设置为确定是否从外围设备接收到内容的阈值时间。
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公开(公告)号：CN101055917B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN101996037A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010249123.0
申请日：2010-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/048
CPC classification number: G06F3/04883 , G06F3/0236 , G06F3/04886 , G06F2203/04807
Abstract: 本发明提供用于在包括触摸屏的便携终端中输入字符的方法和装置。触摸屏被分为字符显示区域、字符向导区域和字符选择区域，该字符显示区域用于显示最终选择的字符，该字符向导区域用于显示包括可由用户选择的多个字符的字符阵列，该字符选择区域用于感测用户的触摸输入。根据通过所述字符选择区域感测到的触摸输入的拖拽，从显示在所述字符向导区域上的字符中选择一个字符，并且将其显示在所述字符向导区域上。当触摸输入被释放时，最终选择并显示所显示的字符在字符显示区域上。
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公开(公告)号：CN101026767B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710006594.7
申请日：2007-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金亨俊
IPC: H04N7/52
Abstract: 提供一种提高数字多媒体广播(DMB)接收终端中的信道改变速度的设备和方法。所述设备包括：DMB缓冲单元，缓冲DMB数据；DMB提取器，仅提取当前设置的信道的DMB数据；控制器，将改变的信道设置到DMB信号接收单元中，以使得可使用提取的DMB数据来输出DMB节目。从DMB信号接收单元输出的DMB数据被存储在DMB缓冲单元中，与用户所设置的信道相应的DMB数据被提取。因此，可在不用停止或不用重新开始DMB接收单元的DMB接收操作的情况下执行信道改变，从而减少信道改变所需的时间。
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公开(公告)号：CN1996609A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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