公开(公告)号：CN110718552A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910211674.9

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩荣 ,  金亨俊 ,  B.金 ,  金侑瞋 ,  池正根

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明公开了包括具有局部扩大的沟道孔的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的下堆叠结构、在下堆叠结构上的上堆叠结构以及在穿过上堆叠结构和下堆叠结构形成的沟道孔中的沟道结构。沟道孔包括在下堆叠结构中的下沟道孔、在上堆叠结构中的上沟道孔、以及与下堆叠结构和上堆叠结构之间的界面相邻的局部延伸部分。局部延伸部分与下沟道孔和上沟道孔流体连通。局部延伸部分的横向宽度可以大于与局部延伸部分相邻的上沟道孔的横向宽度，并大于与局部延伸部分相邻的上沟道孔的横向宽度。

公开(公告)号：CN108307532B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201710761438.5

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.金

IPC: H04W76/11 ,  H04W76/14

Abstract: 提供通信装置和通信方法。通信装置被配置为在通信设备连接到外部设备并且发送和接收数据之前，搜索可以连接到通信设备的外部设备。

公开(公告)号：CN108307532A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201710761438.5

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.金

IPC: H04W76/11 ,  H04W76/14

CPC classification number: H04W8/005 ,  G06F3/0482 ,  H04L12/12 ,  H04M1/7253 ,  H04W4/80

Abstract: 提供通信装置和通信方法。通信装置被配置为在通信设备连接到外部设备并且发送和接收数据之前，搜索可以连接到通信设备的外部设备。